Einfach innovativ Produkter Exzellent thermesch an elektresch Konduktivitéit Graphite Semiconductor

Kuerz Beschreiwung:

Applikatioun: Semiconductor Deeler
Resistenz (μΩ.m): 8-10 Ohm
Porositéit (%): 12% Max
Plaz vun Urspronk: Zhejiang, China
Dimensiounen Personnaliséierten
Gewënn Gréisst: <=325 Mesh
Zertifikat: ISO9001:2015
Gréisst a Form: Personnaliséierten


Produit Detailer

Produit Tags

Einfach innovativ Produkter Exzellent thermesch an elektresch Konduktivitéit Graphite Semiconductor
 
Applikatioun: Semiconductor Deeler
Resistenz (μΩ.m): 8-10 Ohm
Porositéit (%): 12% Max
Plaz vun Urspronk: Zhejiang, China
Dimensiounen Personnaliséierten
Gewënn Gréisst: <=325 Mesh
Zertifikat: ISO9001:2015
Gréisst a Form: Personnaliséierten

 

Einfach innovativ Produkter Exzellent thermesch an elektresch Konduktivitéit Graphite Semiconductor

Einfach innovativ Produkter Exzellent thermesch an elektresch Konduktivitéit Graphite Semiconductor

Einfach innovativ Produkter Exzellent thermesch an elektresch Konduktivitéit Graphite Semiconductor

Einfach innovativ Produkter Exzellent thermesch an elektresch Konduktivitéit Graphite Semiconductor


  • virdrun:
  • Nächste:

  • WhatsApp Online Chat!