Läscht innovativ Produkter Good lubricity an zouzedrécken Resistenz Graphite Semiconductor

Kuerz Beschreiwung:

Applikatioun: Semiconductor Deeler
Resistenz (μΩ.m): 8-10 Ohm
Porositéit (%): 12% Max
Plaz vun Urspronk: Zhejiang, China
Dimensiounen Personnaliséierten
Gewënn Gréisst: <=325 Mesh
Zertifikat: ISO9001:2015
Gréisst a Form: Personnaliséierten


Produit Detailer

Produit Tags

Läscht innovativ Produkter Good lubricity an zouzedrécken Resistenz Graphite Semiconductor
Applikatioun: Semiconductor Deeler
Resistenz (μΩ.m): 8-10 Ohm
Porositéit (%): 12% Max
Plaz vun Urspronk: Zhejiang, China
Dimensiounen Personnaliséierten
Gewënn Gréisst: <=325 Mesh
Zertifikat: ISO9001:2015
Gréisst a Form: Personnaliséierten

Läscht innovativ Produkter Good lubricity an zouzedrécken Resistenz Graphite Semiconductor

Läscht innovativ Produkter Good lubricity an zouzedrécken Resistenz Graphite Semiconductor

Läscht innovativ Produkter Good lubricity an zouzedrécken Resistenz Graphite Semiconductor

Läscht innovativ Produkter Good lubricity an zouzedrécken Resistenz Graphite Semiconductor

Läscht innovativ Produkter Good lubricity an zouzedrécken Resistenz Graphite Semiconductor

  • virdrun:
  • Nächste:

  • WhatsApp Online Chat!