SiC Beschichtete Suscetpor ass e Schlësselkomponent, deen a verschiddene Hallefleitfabrikatiounsprozesser benotzt gëtt. Mir benotzen eis patentéiert Technologie fir de SiC Beschichtete Suscetpor mat extrem héijer Rengheet, gudder Beschichtungsuniformitéit an engem exzellente Liewensdauer ze maachen, wéi och héich chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéitseigenschaften.
Features vun eise Produkter:
1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz bis 1700 ℃.
2. Héich Rengheet an thermesch Uniformitéit
3. Exzellent Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.
4. Héich Hardness, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.
5. Méi laang Liewensdauer a méi haltbar
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Basis kierperlech Eegeschafte vun CVD SiCBeschichtung | |
| 性质 / Immobilie | 典型数值 / Typesch Wäert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC β Phase多晶，主要为（111) 取向 |
| 密度 / Dicht | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Hardness | 2500 维氏硬度（500g Belaaschtung） |
| 晶粒大小 / Grain Gréisst | 2 ~ 10 μm |
| 纯度 / Chemesch Rengheet | 99,99995% |
| 热容 / Hëtzt Kapazitéit | 640 jkg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimatioun Temperatur | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Flexural Kraaft | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt Béi, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermlKonduktivitéit | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Thermal Expansioun (CTE) | 4,5x10-6K-1 |
Wëllkomm Iech häerzlech op eis Fabréck ze besichen, loosst eis weider Diskussioun hunn!
-
Flexibel natierlecht Grafit Blat Pabeier kann cu ...
-
Fabréck personaliséiert Tantalkarbidbeschichtungsdeel
-
1kw Sofc héich Temperatur Waasserstoff Brennstoff Zell
-
Héich Qualitéit Tantal Carbide (TaC) Beschichtung
-
Auto Circulatioun Waasser Pompel, Cool Circulatioun ...
-
Mini / Portable Elektronesch Schmelze Uewen fir mech ...