SiC Dichtungsring

Kuerz Beschreiwung:


Produit Detailer

Produit Tags

Beschreiwung:

Silicon Carbide hunn d'Besëtz vun excellent resistent géint-corrosion, héich mechanesch Kraaft, héich thermesch Konduktivitéit, gutt Selbstschmieren als Sigel Gesiichter benotzt, Lager a Réier an Raumschëff, Maschinnen, Metallurgie, Dréckerei a Fierwerei, Liewensmëttel, pharmazeuteschen, Auto Industrie a sou op. Wann d'sic Gesiichter mat GRAPHITE Gesiichter kombinéiert sinn, ass d'Reibung déi klengst a si kënnen zu mechanesche Dichtungen gemaach ginn, déi fäeg sinn an héchsten Aarbechtsufuerderungen ze schaffen.

Silicon Carbide Basis Eegeschaften:

-Niddereg Dicht

-Héich thermesch Konduktivitéit (no bei Aluminium)

-Gutt thermesch Schock Resistenz

-Flësseg a Gasbeständeg

-Héich Refrakteritéit (kann bei 1450 ℃ an der Loft an 1800 ℃ an neutraler Atmosphär benotzt ginn)

-Et gëtt net vu Korrosioun beaflosst an net mat geschmoltenem Aluminium oder geschmoltenem Zink naass

-Héich hardness

-Niddereg Reiwungskoeffizient

-Abrasion Resistenz

-Resistent géint Basis a staark Säuren

-Polierbar

-Héich mechanesch Kraaft

Silicon Carbide Applikatioun:

-Mechanesch Dichtungen, Lager, Schublager, asw

-Rotéierend Gelenker

-Semiconductor a Beschichtung

-PAnnoncen Pompel Komponente

-Chemesch Komponenten

-Spigelen fir industriell Laser Systemer.

- Kontinuéierlech Stroumreaktoren, Wärmetauscher, asw.

Fonktioun
Siliziumcarbid gëtt op zwou Weeër geformt:

1) Pressureless gesintert Siliziumkarbid

Nodeems d'drucklos gesintert Siliziumkarbidmaterial geätzt ass, weist d'Kristallphasediagramm ënner dem 200X opteschen Mikroskop datt d'Verdeelung an d'Gréisst vun de Kristalle uniform sinn, an de gréisste Kristall net méi wéi 10μm ass.

2) Reaction gesintert Siliziumkarbid

No der Reaktioun behandelt gesintert Siliziumkarbid chemesch déi flaach a glat Sektioun vum Material, de Kristall
Verdeelung a Gréisst ënner dem 200X opteschen Mikroskop sinn eenheetlech, an de fräie Siliziumgehalt ass net méi wéi 12%.

 

Technesch Eegeschafte

Index

Eenheet

Wäert

Material Numm

Pressureless Sinter Silicon Carbide

Reaktioun Sinter Silicon Carbide

Zesummesetzung

SSiC

RBSiC

Bulk Dicht

g/cm3

3,15 ± 0,03

3

Flexural Kraaft

MPa (kpsi)

380 (55)

338 (49)

Kompressiv Kraaft

MPa (kpsi)

3970 (560)

1120 (158)

Hardness

Knupp

2800

2700

Breaking Tenacity

MPa m1/2

4

4.5

Thermesch Konduktivitéit

W/mk

120

95

Koeffizient vun thermesch Expansioun

10-6/°C

4

5

Spezifesch Hëtzt

Joule/g 0k

0,67

0.8

Max Temperatur an der Loft

1500

1200

Elastesche Modul

Gpa

410

360

 

Dichtung 2 Versiegelung 3 Versiegelung 4


  • virdrun:
  • Nächste:

  • WhatsApp Online Chat!