Beschreiwung:
Silicon Carbide hunn d'Besëtz vun excellent resistent géint-corrosion, héich mechanesch Kraaft, héich thermesch Konduktivitéit, gutt Selbstschmieren als Sigel Gesiichter benotzt, Lager a Réier an Raumschëff, Maschinnen, Metallurgie, Dréckerei a Fierwerei, Liewensmëttel, pharmazeuteschen, Auto Industrie a sou op. Wann d'sic Gesiichter mat GRAPHITE Gesiichter kombinéiert sinn, ass d'Reibung déi klengst a si kënnen zu mechanesche Dichtungen gemaach ginn, déi fäeg sinn an héchsten Aarbechtsufuerderungen ze schaffen.
Silicon Carbide Basis Eegeschaften:
-Niddereg Dicht
-Héich thermesch Konduktivitéit (no bei Aluminium)
-Gutt thermesch Schock Resistenz
-Flësseg a Gasbeständeg
-Héich Refrakteritéit (kann bei 1450 ℃ an der Loft an 1800 ℃ an neutraler Atmosphär benotzt ginn)
-Et gëtt net vu Korrosioun beaflosst an net mat geschmoltenem Aluminium oder geschmoltenem Zink naass
-Héich hardness
-Niddereg Reiwungskoeffizient
-Abrasion Resistenz
-Resistent géint Basis a staark Säuren
-Polierbar
-Héich mechanesch Kraaft
Silicon Carbide Applikatioun:
-Mechanesch Dichtungen, Lager, Schublager, asw
-Rotéierend Gelenker
-Semiconductor a Beschichtung
-PAnnoncen Pompel Komponente
-Chemesch Komponenten
-Spigelen fir industriell Laser Systemer.
- Kontinuéierlech Stroumreaktoren, Wärmetauscher, asw.
Fonktioun
Siliziumcarbid gëtt op zwou Weeër geformt:
1) Pressureless gesintert Siliziumkarbid
Nodeems d'drucklos gesintert Siliziumkarbidmaterial geätzt ass, weist d'Kristallphasediagramm ënner dem 200X opteschen Mikroskop datt d'Verdeelung an d'Gréisst vun de Kristalle uniform sinn, an de gréisste Kristall net méi wéi 10μm ass.
2) Reaction gesintert Siliziumkarbid
No der Reaktioun behandelt gesintert Siliziumkarbid chemesch déi flaach a glat Sektioun vum Material, de Kristall
Verdeelung a Gréisst ënner dem 200X opteschen Mikroskop sinn eenheetlech, an de fräie Siliziumgehalt ass net méi wéi 12%.
Technesch Eegeschafte | |||
Index | Eenheet | Wäert | |
Material Numm | Pressureless Sinter Silicon Carbide | Reaktioun Sinter Silicon Carbide | |
Zesummesetzung | SSiC | RBSiC | |
Bulk Dicht | g/cm3 | 3,15 ± 0,03 | 3 |
Flexural Kraaft | MPa (kpsi) | 380 (55) | 338 (49) |
Kompressiv Kraaft | MPa (kpsi) | 3970 (560) | 1120 (158) |
Hardness | Knupp | 2800 | 2700 |
Breaking Tenacity | MPa m1/2 | 4 | 4.5 |
Thermesch Konduktivitéit | W/mk | 120 | 95 |
Koeffizient vun thermesch Expansioun | 10-6/°C | 4 | 5 |
Spezifesch Hëtzt | Joule/g 0k | 0,67 | 0.8 |
Max Temperatur an der Loft | ℃ | 1500 | 1200 |
Elastesche Modul | Gpa | 410 | 360 |