Neiegkeeten

Verschmotzung Quellen a Präventioun an semiconductor Fabrikatioun Industrie
vun Administrator op 24-08-13
Semiconductor Apparat Produktioun enthält haaptsächlech diskret Apparater, integréiert Circuiten an hir Verpakung Prozesser. Semiconductor Produktioun kann an dräi Etappen ënnerdeelt ginn: Produit Kierper Material Produktioun, Produit wafer Fabrikatioun an Apparat Assemblée. Ënnert hinnen, ...
Liest méi
Firwat brauch Ausdünnung?
vun Administrator op 24-08-08
An der Back-End-Prozessphase muss de Wafer (Siliciumwafer mat Circuiten op der viischter) op der Réck viru spéider Wierfel, Schweißen a Verpakung verdünnt ginn fir d'Packagemontage Héicht ze reduzéieren, de Chip Package Volumen ze reduzéieren, d'thermesch thermesch vum Chip ze verbesseren Diffusioun ...
Liest méi
Héich Puritéit SiC Eenkristallpulver Syntheseprozess
vun Administrator op 24-08-08
Am Siliziumkarbid Eenkristallwachstumsprozess ass kierperlechen Damptransport déi aktuell Mainstream Industrialiséierungsmethod. Fir d'PVT Wuesstumsmethod huet Siliziumkarbidpulver e groussen Afloss op de Wuesstumsprozess. All Parameter vum Siliziumkarbidpulver ...
Liest méi
Firwat enthält eng Waferbox 25 Wafers?
vun Administrator op 24-07-30
An der sophistikéierter Welt vun der moderner Technologie sinn Wafers, och bekannt als Siliziumwafers, d'Kärkomponente vun der Hallefleitindustrie. Si sinn d'Basis fir d'Fabrikatioun vun verschiddenen elektronesche Komponenten wéi Mikroprozessoren, Erënnerung, Sensoren, etc., an all Wafer ...
Liest méi
Allgemeng benotzt Sockele fir Dampphase-Epitaxie
vun Administrator op 24-07-30
Wärend dem Vapor Phase Epitaxy (VPE) Prozess ass d'Roll vum Sockel de Substrat z'ënnerstëtzen an eng eenheetlech Heizung während dem Wuesstumsprozess ze garantéieren. Verschidde Typen vu Sockel si fir verschidde Wuesstumsbedingungen a Materialsystemer gëeegent. Déi folgend sinn e puer ...
Liest méi
Wéi de Service Liewen vun Tantal Carbide Beschichtete Produiten ze verlängeren?
vun Administrator op 24-07-26
Tantal Carbide Beschichtete Produiten sinn eng allgemeng benotzt héich-Temperatur Material, charakteriséiert duerch héich Temperatur Resistenz, corrosion Resistenz, zouzedrécken Resistenz, etc.. Dofir si vill an Industrien wéi Raumfaarttechnik, chemesch, an Energie benotzt. Fir ex...
Liest méi
Wat ass den Ënnerscheed tëscht PECVD an LPCVD an semiconductor CVD Ausrüstung?
vun Administrator op 24-07-24
Chemesch Dampdepositioun (CVD) bezitt sech op de Prozess fir e festen Film op der Uewerfläch vun engem Siliziumwafer duerch eng chemesch Reaktioun vun enger Gasmëschung ze deposéieren. No de verschiddene Reaktiounsbedéngungen (Drock, Virgänger), kann et a verschidden Ausrüstung opgedeelt ginn ...
Liest méi
Charakteristiken vun Silicon Carbide GRAPHIT Ofdréck
vun Administrator op 24-07-18
Silicon Carbide Graphite Schimmel Silicon Carbide GRAPHIT Schimmel ass eng Komposit Schimmel mat Silizium Carbide (SiC) als Basis a Grafit als Verstäerkungsmaterial. Dëse Schimmel huet exzellent thermesch Konduktivitéit, héich Temperaturbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet an ...
Liest méi
Semiconductor Prozess voll Prozess vun photolithography
vun Administrator op 24-07-16
D'Fabrikatioun vun all Hallefleitprodukt erfuerdert Honnerte vu Prozesser. Mir trennen de ganze Fabrikatiounsprozess an aacht Schrëtt: Waferveraarbechtung-Oxidatioun-Fotolithographie-Ätzen-Dënn Filmdepositioun-Epitaxialwachstum-Diffusioun-Ionimplantatioun. Fir Iech ze hëllefen ...
Liest méi