Neiegkeeten

  • BJT, CMOS, DMOS an aner Semiconductor Prozess Technologien

    BJT, CMOS, DMOS an aner Semiconductor Prozess Technologien

    Wëllkomm op eiser Websäit fir Produktinformatioun a Berodung. Eis Websäit: https://www.vet-china.com/ Wéi d'Halbleiter-Fabrikatiounsprozesser weider Duerchbréch maachen, ass eng berühmt Ausso mam Numm "Moore's Law" an der Industrie zirkuléiert. Et war p...
    Liest méi
  • Semiconductor Musterprozess Flow Ätzen

    Semiconductor Musterprozess Flow Ätzen

    Fréi naass Ätzen huet d'Entwécklung vu Botzen oder Äschenprozesser gefördert. Haut ass dréchen Ätzen mat Plasma den Mainstream Ätzprozess ginn. Plasma besteet aus Elektronen, Kationen a Radikale. D'Energie, déi op de Plasma applizéiert gëtt, verursaacht déi äusserst Elektronen vun t ...
    Liest méi
  • Fuerschung iwwer 8-Zoll SiC Epitaxialofen an Homoepitaxialprozess-Ⅱ

    Fuerschung iwwer 8-Zoll SiC Epitaxialofen an Homoepitaxialprozess-Ⅱ

    2 Experimentell Resultater an Diskussioun 2.1 Epitaxial Schichtdicke an Uniformitéit Epitaxial Schichtdicke, Dopingkonzentratioun an Uniformitéit sinn ee vun de Kärindikatoren fir d'Qualitéit vun Epitaxialwaferen ze beurteelen. Genau kontrolléierbar Dicke, Doping Co ...
    Liest méi
  • Fuerschung iwwer 8-Zoll SiC Epitaxialofen an Homoepitaxialprozess-Ⅰ

    Fuerschung iwwer 8-Zoll SiC Epitaxialofen an Homoepitaxialprozess-Ⅰ

    De Moment transforméiert d'SiC Industrie vun 150 mm (6 Zoll) op 200 mm (8 Zoll). Fir déi dréngend Nofro fir grouss Gréisst, héichqualitativ SiC homoepitaxial Waferen an der Industrie ze treffen, goufen 150mm an 200mm 4H-SiC homoepitaxial Wafere mat Erfolleg virbereet op ...
    Liest méi
  • Optimisatioun vun poröse Kuelestoffporestruktur -Ⅱ

    Optimisatioun vun poröse Kuelestoffporestruktur -Ⅱ

    Wëllkomm op eiser Websäit fir Produktinformatioun a Berodung. Eis Websäit: https://www.vet-china.com/ Physikalesch a chemesch Aktivéierungsmethod.
    Liest méi
  • Optimiséierung vun der poröser Kuelestoffporestruktur-Ⅰ

    Optimiséierung vun der poröser Kuelestoffporestruktur-Ⅰ

    Wëllkomm op eiser Websäit fir Produktinformatioun a Berodung. Eis Websäit: https://www.vet-china.com/ Dëse Pabeier analyséiert den aktuellen Aktivkuelestoffmaart, mécht eng detailléiert Analyse vun de Rohmaterialien vum Aktivkuelestoff, stellt d'Porestruktur vir ...
    Liest méi
  • Semiconductor Prozess Flux-Ⅱ

    Semiconductor Prozess Flux-Ⅱ

    Wëllkomm op eiser Websäit fir Produktinformatioun a Berodung. Eis Websäit: https://www.vet-china.com/ Ätzen vu Poly a SiO2: Duerno ginn déi iwwerschësseg Poly a SiO2 ewechgeätzt, dat heescht ewechgeholl. Zu dëser Zäit gëtt Direktiouns Ätzen benotzt. Am Klassement...
    Liest méi
  • Semiconductor Prozess Flux

    Semiconductor Prozess Flux

    Dir kënnt et verstoen och wann Dir nach ni Physik oder Mathematik studéiert hutt, awer et ass e bëssen ze einfach a gëeegent fir Ufänger. Wann Dir méi iwwer CMOS wësse wëllt, musst Dir den Inhalt vun dësem Thema liesen, well nëmmen nodeems Dir de Prozessflow versteet (dat ass ...
    Liest méi
  • Quelle vun semiconductor wafer Kontaminatioun a Botzen

    Quelle vun semiconductor wafer Kontaminatioun a Botzen

    E puer organesch an anorganesch Substanzen sinn erfuerderlech fir un der Halbleiterfabrikatioun deelzehuelen. Zousätzlech, well de Prozess ëmmer an engem proppere Raum mat mënschlecher Participatioun duerchgefouert gëtt, sinn Hallefleitwafer onweigerlech vu verschiddene Gëftstoffer kontaminéiert. Accor...
    Liest méi
WhatsApp Online Chat!