RekristalliséiertSiliziumkarbid (RSiC) Keramiksinn ahéich-Performance Keramik Material. Wéinst senger exzellenter Héichtemperaturbeständegkeet, Oxidatiounsbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet an héijer Hardness ass et vill a ville Beräicher benotzt ginn, wéi Hallefleitfabrikatioun, Photovoltaikindustrie, Héichtemperaturofen a chemesch Ausrüstung. Mat der wuessender Nofro fir High-Performance-Materialien an der moderner Industrie gëtt d'Fuerschung an d'Entwécklung vu rekristalliséierte Siliziumkarbidkeramik verdéift.
1. Virbereedung Technologie vunrekristalliséiert Siliziumkarbid Keramik
D'Virbereedung Technologie vun rekristalliséiertSiliziumkarbid Keramikëmfaasst haaptsächlech zwou Methoden: Pudder sintering an vapor Deposition (CVD). Ënnert hinnen ass d'Pulversintéierungsmethod Siliziumkarbidpulver ënner héijer Temperaturëmfeld ze sinteren, sou datt Siliziumkarbidpartikelen eng dichte Struktur bilden duerch Diffusioun a Rekristalliséierung tëscht Kären. D'Dampdepositiounsmethod ass Siliziumkarbid op der Uewerfläch vum Substrat duerch eng chemesch Dampreaktioun bei héijer Temperatur ze deposéieren, an doduerch en héichreiniger Siliziumkarbidfilm oder strukturell Deeler ze bilden. Dës zwou Technologien hunn hir eege Virdeeler. D'Pulver Sintering Method ass gëeegent fir grouss-Skala Produktioun an huet niddereg Käschten, iwwerdeems Dampf Oflagerung Method méi Rengheet an dichter Struktur bidden kann, an ass vill am semiconductor Terrain benotzt.
2. Material Eegeschafte vunrekristalliséiert Siliziumkarbid Keramik
Déi aussergewéinlech Charakteristik vu rekristalliséierte Siliziumkarbidkeramik ass seng exzellent Leeschtung an héijen Temperaturen Ëmfeld. De Schmelzpunkt vun dësem Material ass sou héich wéi 2700 ° C, an et huet gutt mechanesch Kraaft bei héijen Temperaturen. Zousätzlech huet rekristalliséiert Siliziumkarbid och exzellent Oxidatiounsbeständegkeet a Korrosiounsbeständegkeet, a kann an extremen chemeschen Ëmfeld stabil bleiwen. Dofir sinn RSiC Keramik vill an de Beräicher vun Héichtemperaturofen, Héichtemperatur refractaire Materialien a chemeschen Ausrüstung benotzt.
Zousätzlech huet rekristalliséiert Siliziumkarbid eng héich thermesch Konduktivitéit a kann effektiv Hëtzt féieren, wat et e wichtege Applikatiounswäert mécht anMOCVD Reaktorenan Hëtzt Behandlung Equipement an semiconductor wafer Fabrikatioun. Seng héich thermesch Leit an thermesch Schock Resistenz garantéieren déi zouverlässeg Operatioun vun der Ausrüstung ënner extremen Konditiounen.
3. Applikatioun Felder vun recrystallized Silicon Carbide Keramik
Semiconductor Fabrikatioun: An der Hallefleitindustrie gi rekristalliséiert Siliziumkarbid Keramik benotzt fir Substrate an Ënnerstëtzer an MOCVD Reaktoren ze fabrizéieren. Wéinst senger héijer Temperaturresistenz, Korrosiounsbeständegkeet an héijer thermescher Konduktivitéit kënnen RSiC Materialien eng stabil Leeschtung a komplexe chemesche Reaktiounsëmfeld behalen, fir d'Qualitéit an d'Ausbezuele vun Hallefleitwaferen ze garantéieren.
Photovoltaikindustrie: An der Photovoltaikindustrie gëtt RSiC benotzt fir d'Ënnerstëtzungsstruktur vu Kristallwachstumsausrüstung ze fabrizéieren. Zënter de Kristallwachstum muss bei héijer Temperatur während dem Fabrikatiounsprozess vu Photovoltaikzellen duerchgefouert ginn, garantéiert d'Hëtztbeständegkeet vu rekristalliséierte Siliziumkarbid déi laangfristeg stabil Operatioun vun der Ausrüstung.
Héichtemperatur Schmelzen: RSiC Keramik ginn och wäit an Héichtemperatur Schmelzen benotzt, sou wéi Beleidegungen a Komponenten vu Vakuumofen, Schmelzen an aner Ausrüstung. Seng thermesch Schockbeständegkeet an Oxidatiounsbeständegkeet maachen et zu engem vun den irreplaceable Materialien an Héichtemperaturindustrie.
4. Fuerschungsrichtung vu rekristalliséierte Siliziumkarbidkeramik
Mat der wuessender Nofro fir héich performant Materialien ass d'Fuerschungsrichtung vu rekristalliséierte Siliziumkarbidkeramik lues a lues kloer ginn. Zukünfteg Fuerschung konzentréiert sech op déi folgend Aspekter:
D'Materialreinheet verbesseren: Fir méi héich Rengheetsufuerderungen an de Hallefleit- a Photovoltaikfelder z'erfëllen, ënnersicht d'Fuerscher Weeër fir d'Rengheet vum RSiC ze verbesseren andeems d'Dampdepositiounstechnologie verbessert oder nei Matière première agefouert gëtt, an doduerch säin Uwendungswäert an dësen High-Tech Felder verbessert. .
Optimiséierung vun der Mikrostruktur: Duerch d'Kontroll vun de Sinterbedéngungen an d'Verdeelung vu Pudderpartikelen kann d'Mikrostruktur vu rekristalliséierte Siliziumkarbid weider optimiséiert ginn, doduerch seng mechanesch Eegeschaften an d'thermesch Schockbeständegkeet verbesseren.
Funktionell Kompositmaterialien: Fir sech un méi komplexe Benotzungsëmfeld z'adaptéieren, probéieren d'Fuerscher RSiC mat anere Materialien ze kombinéieren fir Kompositmaterialien mat multifunktionnellen Eegeschaften z'entwéckelen, sou wéi ëmkristalliséierte Siliziumkarbid-baséiert Kompositmaterialien mat méi héije Verschleißbeständegkeet an elektresch Konduktivitéit.
5. Conclusioun
Als High-Performance-Material ass ëmkristalliséiert Siliziumkarbidkeramik vill a ville Beräicher benotzt ginn wéinst hiren exzellenten Eegeschafte bei héijer Temperatur, Oxidatiounsbeständegkeet a Korrosiounsbeständegkeet. Zukünfteg Fuerschung konzentréiert sech op d'Verbesserung vun der Materialrengheet, d'Optimiséierung vun der Mikrostruktur an d'Entwécklung vu Komposit funktionell Materialien fir déi wuessend industriell Bedierfnesser z'erreechen. Duerch dës technologesch Innovatiounen, recrystallized Silicon Carbide Keramik gëtt erwaart eng méi grouss Roll an méi héich-Tech Beräicher ze spillen.
Post Zäit: Okt-24-2024