Neiegkeeten

Silicon Carbide Keramik: den Terminator vun photovoltaesche Quarz Komponenten
vun Administrator op 24-11-05
Mat der kontinuéierlecher Entwécklung vun der heiteger Welt gëtt net-erneierbar Energie ëmmer méi ustrengend, an d'mënschlech Gesellschaft ass ëmmer méi dréngend fir erneierbar Energien ze benotzen representéiert duerch "Wand, Liicht, Waasser an Nuklear". Am Verglach mat aneren erneierbaren Energiequellen ass de Mënsch ...
Liest méi
Reaktioun sintering an pressless sintering Silicon Carbide Keramik Virbereedung Prozess
vun Administrator op 24-10-29
Reaktioun sintering D'Reaktioun sintering Silicon Carbide Keramik Produktioun Prozess ëmfaasst Keramik compacting, sintering Flux Infiltratioun Agent compacting, Reaktioun sintering Keramik Produit Virbereedung, Silicon Carbide Holz Keramik Virbereedung an aner Schrëtt. Reaktioun sinter Silizium ...
Liest méi
Silicon Carbide Keramik: Präzisioun Komponente néideg fir Hallefleit Prozesser
vun Administrator op 24-10-29
Photolithographie Technologie konzentréiert sech haaptsächlech op d'Benotzung vun opteschen Systemer fir Circuitmuster op Siliziumwaferen auszesetzen. D'Genauegkeet vun dësem Prozess beaflosst direkt d'Performance an d'Ausbezuele vun integréierte Circuiten. Als eng vun den Top Ausrüstung fir Chipfabrikatioun enthält d'Lithographiemaschinn bis ...
Liest méi
Versteesdemech semiconductor wafer Kontaminatioun an Botzen Prozedur
vun Administrator op 24-10-29
Wann et Sperma zu Geschäftsnoriichten ass, ass d'Elaboratitéit vun der Halbleiterfabrikatioun ze verstoen Noutwennegkeet. Hallefleitwafer sinn entscheedend Bestanddeel an dëser Industrie, awer si konfrontéieren dacks Kontaminatioun vu verschiddenen Gëftstoffer. Dës Kontaminatioun enthält Atom, organesch Matière, metallescht Element Ion, a ...
Liest méi
Promotioun an Fan-Out wafer Grad Verpakung Duerch ultraviolet Härtung
vun Administrator op 24-10-28
Fan Out Wafer Grad Verpackung (FOWLP) an der Hallefleitindustrie ass bekannt fir kosteneffizient ze sinn, awer et ass net ouni seng Erausfuerderung. Ee vun den Haaptthemen déi konfrontéiert sinn ass Warp a Bit Ufank wärend der Formprozedur. Warp kann op chemesch Schrumpfung vun der Formverbindung imputéiert ginn an ...
Liest méi
D'Zukunft vun Diamond Semiconductor Technology
vun Administrator op 24-10-25
Als Basis vun modern elektronesch Apparater, semiconductor Material ënnerleien eemolege Verännerung. haut, Diamant ass graduell seng grouss Potential als véiert-coevals semiconductor Material mat senger excellent elektresch an thermesch Propriétéit a Stabilitéit ënner extrem Konditiounen Duerchmusterung. Et ass...
Liest méi
Chemesch Vapor Deposition (CVD) Technologie ze verstoen
vun Administrator op 24-10-24
chemesch Dampdepositioun (CVD) ass eng Prozedur déi e festen Film op der Uewerfläch vun enger Siliziumwafer duerch eng chemesch chemesch Reaktioun vun enger Gasmëschung involvéiert. Dës Prozedur kann ënnerdeelt ginn an assortéiert Ausrüstungsmodell op verschiddene chemesche Reaktiounsbedéngungen wéi Drock ...
Liest méi
Demande an Uwendung vun héich thermesch Leit SiC Keramik am semiconductor Terrain
vun Administrator op 24-10-24
De Moment ass Siliziumkarbid (SiC) en thermesch konduktiv Keramikmaterial dat aktiv doheem an am Ausland studéiert gëtt. Déi theoretesch thermesch Konduktivitéit vu SiC ass ganz héich, an e puer Kristallforme kënnen 270W / mK erreechen, wat scho e Leader ënner net-leitend Materialien ass. Zum Beispill, eng ...
Liest méi
Fuerschung Status vun recrystallized Silicon Carbide Keramik
vun Administrator op 24-10-24
Rekristalliséierte Siliziumkarbid (RSiC) Keramik ass en héich performant Keramikmaterial. Wéinst senger exzellenter Héichtemperaturbeständegkeet, Oxidatiounsbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet an héijer Härheet, gouf et vill a ville Beräicher benotzt, wéi Hallefleitfabrikatioun, Photovoltaikindustrie ...
Liest méi