Chemesch Dampdepositioun(CVD)ass déi meescht benotzt Technologie an der Hallefleitindustrie fir eng Vielfalt vu Materialien ze deposéieren, dorënner eng breet Palette vun Isoléiermaterialien, déi meescht Metallmaterialien a Metalllegierungsmaterialien.
CVD ass eng traditionell dënn Film Virbereedung Technologie. Säi Prinzip ass d'Benotzung vu gasforme Virgänger fir bestëmmte Komponenten am Virgänger duerch chemesch Reaktiounen tëscht Atomer a Molekülen ze zersetzen, an dann en dënnen Film um Substrat ze bilden. D'Basiseigenschaften vum CVD sinn: chemesch Ännerungen (chemesch Reaktiounen oder thermesch Zersetzung); all Material am Film kommen aus externen Quellen; Reaktanten mussen un der Reaktioun a Form vu Gasphase deelhuelen.
Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD), Plasma verstäerkte Chemical Vapor Deposition (PECVD) an High Density Plasma Chemical Vapor Deposition (HDP-CVD) sinn dräi gemeinsam CVD Technologien, déi bedeitend Differenzen an Material Oflagerung, Ausrüstung Ufuerderunge, Prozess Konditiounen, etc. Déi folgend ass eng einfach Erklärung a Verglach vun dësen dräi Technologien.
1. LPCVD (Low Pressure CVD)
Prinzip: A CVD Prozess ënner niddereg Drock Konditiounen. Säi Prinzip ass d'Reaktiounsgas an d'Reaktiounskammer ënner Vakuum oder nidderegen Drockëmfeld ze sprëtzen, de Gas duerch héich Temperatur zersetzen oder reagéieren, a bilden e festen Film deen op der Substratfläch deposéiert ass. Zënter dem nidderegen Drock reduzéiert d'Gaskollisioun an d'Turbulenzen, ginn d'Uniformitéit an d'Qualitéit vum Film verbessert. LPCVD gëtt wäit benotzt a Siliziumdioxid (LTO TEOS), Siliziumnitrid (Si3N4), Polysilisium (POLY), Phosphosilikatglas (BSG), Borophosphosilikatglas (BPSG), dotéiert Polysilisium, Grafen, Kuelestoff Nanotubes an aner Filmer.
Fonctiounen:
▪ Prozesstemperatur: normalerweis tëscht 500 ~ 900 ° C, d'Prozesstemperatur ass relativ héich;
▪ Gasdrockbereich: niddereg Drockëmfeld vun 0,1 ~ 10 Torr;
▪ Filmqualitéit: héich Qualitéit, gutt Uniformitéit, gutt Dicht, a wéineg Mängel;
▪ Oflagerungsquote: lues Oflagerungsquote;
▪ Uniformitéit: gëeegent fir grouss Substrate, eenheetlech Oflagerung;
Virdeeler an Nodeeler:
▪ Kann ganz eenheetlech an dichte Filmer deposéieren;
▪ Gitt gutt op grouss Substrate, gëeegent fir Masseproduktioun;
▪ Niddereg Käschten;
▪ Héich Temperatur, net gëeegent fir Hëtzt-sensibel Materialien;
▪ Depositiounsrate ass lues an d'Ausgab ass relativ niddereg.
2. PECVD (Plasma Enhanced CVD)
Prinzip: Benotzt Plasma fir Gasphasreaktiounen bei méi nidderegen Temperaturen ze aktivéieren, d'Molekülen am Reaktiounsgas ze ioniséieren an ofzebauen, an dann dënn Filmer op der Substratoberfläche deposéieren. D'Energie vu Plasma kann d'Temperatur erfuerderlech fir d'Reaktioun staark reduzéieren an huet eng breet Palette vun Uwendungen. Verschidde Metallfilmer, anorganesch Filmer an organesch Filmer kënne virbereet ginn.
Fonctiounen:
▪ Prozesstemperatur: normalerweis tëscht 200 ~ 400 ° C, d'Temperatur ass relativ niddereg;
▪ Gasdrockbereich: normalerweis Honnerte vu mTorr bis e puer Torr;
▪ Filmqualitéit: obwuel d'Filmuniformitéit gutt ass, sinn d'Dicht an d'Qualitéit vum Film net sou gutt wéi LPCVD wéinst Mängel déi duerch Plasma agefouert kënne ginn;
▪ Oflagerungsquote: héich Taux, héich Produktiounseffizienz;
▪ Uniformitéit: liicht manner wéi LPCVD op grouss Substrate;
Virdeeler an Nodeeler:
▪ Dënn Filmer kënne bei méi nidderegen Temperaturen deposéiert ginn, gëeegent fir Hëtztempfindlech Materialien;
▪ Schnell Oflagerungsgeschwindegkeet, gëeegent fir effizient Produktioun;
▪ Flexibele Prozess, Filmeigenschaften kënnen kontrolléiert ginn andeems Plasma Parameteren ugepasst ginn;
▪ Plasma kann Filmdefekte wéi Pinholes oder Net-Uniformitéit aféieren;
▪ Am Verglach mat LPCVD sinn d'Filmdicht an d'Qualitéit liicht méi schlecht.
3. HDP-CVD (High Density Plasma CVD)
Prinzip: Eng speziell PECVD Technologie. HDP-CVD (och bekannt als ICP-CVD) kann méi héich Plasma Dicht a Qualitéit produzéieren wéi traditionell PECVD Ausrüstung bei méi nidderegen Oflagerungstemperaturen. Zousätzlech liwwert HDP-CVD bal onofhängeg Ioneflux an Energiekontrolle, verbessert Trench oder Lach Füllfäegkeeten fir erfuerderlech Filmdepositioun, wéi antireflektiv Beschichtungen, niddereg dielektresch konstant Materialablagerung, etc.
Fonctiounen:
▪ Prozess Temperatur: Raumtemperatur bis 300 ℃, Prozess Temperatur ass ganz niddereg;
▪ Gasdrockbereich: tëscht 1 an 100 mTorr, manner wéi PECVD;
▪ Filmqualitéit: héich Plasma Dicht, héich Filmqualitéit, gutt Uniformitéit;
▪ Oflagerungsquote: Oflagerungsquote ass tëscht LPCVD a PECVD, liicht méi héich wéi LPCVD;
▪ Uniformitéit: Wéinst der héijer Dicht Plasma ass d'Filmuniformitéit exzellent, gëeegent fir komplexfërmeg Substratflächen;
Virdeeler an Nodeeler:
▪ Kapabel fir héichqualitativ Filmer bei nidderegen Temperaturen ze deposéieren, ganz gëeegent fir Hëtztempfindlech Materialien;
▪ Exzellent Filmuniformitéit, Dicht an Uewerflächglatheet;
▪ Méi héich Plasma Dicht verbessert Oflagerungsuniformitéit a Filmeigenschaften;
▪ Komplizéiert Ausrüstung a méi héich Käschten;
▪ Oflagerungsgeschwindegkeet ass lues, a méi héich Plasma-Energie kann e klenge Betrag u Schued aféieren.
Wëllkomm Clienten aus der ganzer Welt fir eis fir eng weider Diskussioun ze besichen!
https://www.vet-china.com/
https://www.facebook.com/people/Ningbo-Miami-Advanced-Material-Technology-Co-Ltd/100085673110923/
https://www.linkedin.com/company/100890232/admin/page-posts/published/
https://www.youtube.com/@user-oo9nl2qp6j
Post Zäit: Dez-03-2024