Silicon Carbide Kristall Wuesstem Prozess an Equipement Technologie

1. SiC Kristallswuesstem Technologie Wee

PVT (Sublimatiounsmethod),

HTCVD (Héichtemperatur CVD),

LPE(Liquid Phase Method)

sinn dräi gemeinsamSiC KristallWuesstem Methoden;

Déi meescht unerkannt Method an der Industrie ass d'PVT-Methode, a méi wéi 95% vu SiC Eenkristallen ginn duerch d'PVT-Methode ugebaut;

IndustrialiséiertSiC KristallWuesstem Uewen benotzt der Industrie Mainstream PVT Technologie Wee.

2. SiC Kristallwachstumsprozess

Pulversynthese-Seed-Kristallbehandlung-Kristallwachstum-Ingot annealing-waferVeraarbechtung.

3. PVT Method ze wuessenSiC Kristalle

D'SiC Matière première ass um Buedem vun der GRAPHITE Kräfte plazéiert, an de SiC Som Kristall ass um Top vun der GRAPHITE Kéis. Duerch d'Upassung vun der Isolatioun ass d'Temperatur am SiC Rohmaterial méi héich an d'Temperatur um Somkristall ass méi niddereg. D'SiC Rohmaterial bei héijer Temperatur subliméiert an zerfällt a Gasphase Substanzen, déi mat enger niddereger Temperatur an de Somkristall transportéiert ginn a kristalliséieren fir SiC-Kristalle ze bilden. De Basiswachstumsprozess enthält dräi Prozesser: Zersetzung an Sublimatioun vu Rohmaterialien, Massentransfer a Kristalliséierung op Somkristallen.

Zersetzung an Sublimatioun vu Rohmaterialien:

SiC(S)= Si(g)+C(S)

2SiC(S)= Si(g)+ SiC2(g)

2SiC(S)=C(S)+SiC2(g)

Wärend der Massentransfer reagéiert de Si-Damp weider mat der Graphit-Keelwand fir SiC2 a Si2C ze bilden:

Si(g)+2C(S) =SiC2(g)

2Si(g) +C(S)=Si2C(g)

Op der Uewerfläch vum Somkristall wuessen déi dräi Gasphasen duerch déi folgend zwou Formelen fir Siliziumkarbidkristalle ze generéieren:

SiC 2_(g)+ Si2C_(g)= 3SiC_(s)

Si_(g)+ SiC2_(g)= 2SiC_(S)

4. PVT-Methode fir SiC-Kristallwachstumsausrüstung Technologie Wee ze wuessen

Am Moment, Induktioun Heizung ass eng gemeinsam Technologie Wee fir PVT Method SiC Kristallsglas produzéiert Schmelzhäre;

Coil extern Aféierungs- Heizung a GRAPHITE Resistenz Heizung sinn d'Entwécklung Richtung vunSiC KristallWuesstem Uewen.

5. 8-Zoll SiC Induktioun Heizung Wuesstem Uewen

(1) Heizung derGRAPHITE Kéis Heizung Elementduerch Magnéitfeld Induktioun; Regulatioun vum Temperaturfeld andeems d'Heizkraaft, d'Spilepositioun an d'Isolatiounsstruktur ugepasst ginn;

(2) Heizung vun der GRAPHITE Kéis duerch graphite Resistenz Heizung an thermesch Stralung Leedung; d'Temperaturfeld kontrolléieren andeems de Stroum vum Graphitheizung, d'Struktur vum Heizung an d'Zonestroumkontrolle ugepasst gëtt;