Non-Uniformitéit vun Ion Bombardement
DréchenÄtzenass normalerweis e Prozess deen physesch a chemesch Effekter kombinéiert, an deem Ionebombardement eng wichteg kierperlech Ätsmethod ass. Während demÄtzen Prozess, den Incidentwinkel an d'Energieverdeelung vun Ionen kënnen ongläich sinn.
Wann den Ionenfallwénkel op verschiddene Positiounen op der Säitwand anescht ass, wäert d'Ätseffekt vun Ionen op der Säitewand och anescht sinn. A Beräicher mat méi groussen Ionen-Infallswinkelen ass d'Ätseffekt vun Ionen op der Säitewänn méi staark, wat d'Sidewand an dësem Gebitt méi ätze wäert, wat d'Sidewand béien. Zousätzlech wäert déi ongläich Verdeelung vun der Ionenergie och ähnlech Effekter produzéieren. Ionen mat méi héijer Energie kënne Materialien méi effektiv ewechhuelen, wat zu inkonsistent resultéiertÄtzenGrad vun der Sidewall op verschiddene Positiounen, wat am Tour verursaacht datt d'Sidewall béien.
Den Afloss vum Photoresist
Photoresist spillt d'Roll vun enger Mask an der trocken Ässung, schützt Gebidder déi net ätzen mussen. Wéi och ëmmer, de Photoresist ass och vu Plasma-Bombardement a chemesche Reaktioune wärend dem Ätzprozess beaflosst, a seng Leeschtung kann änneren.
Wann d'Dicke vum Photoresist ongläich ass, d'Verbrauchsquote wärend dem Ätzprozess inkonsistent ass, oder d'Adhäsioun tëscht dem Photoresist an dem Substrat op verschiddene Plazen anescht ass, kann et zu engem ongläiche Schutz vun de Säitewänn wärend dem Ätzprozess féieren. Zum Beispill, Gebidder mat méi dënnen Photoresist oder méi schwaacher Adhäsioun kënnen d'Basismaterial méi liicht ätze maachen, wouduerch d'Säitewänn op dëse Plazen béien.
Differenzen an Substratmaterialeigenschaften
D'Ätschte Substratmaterial selwer kann verschidden Eegeschaften hunn, sou wéi verschidde Kristallorientéierungen an Dopingkonzentratioune a verschiddene Regiounen. Dës Differenzen beaflossen d'Ätstquote an d'Ätselektivitéit.
Zum Beispill, am kristallinem Silizium, ass d'Arrangement vu Siliziumatomer a verschiddene Kristallorientéierungen anescht, an hir Reaktivitéit an Ätstrate mam Ätzgas wäerten och anescht sinn. Wärend dem Ätzprozess wäerten déi verschidde Ätzraten, déi duerch d'Ënnerscheeder an de Materialeigenschaften verursaacht ginn, d'Ätzdéift vun de Säitewänn op verschiddene Plazen inkonsistent maachen, wat schlussendlech zu Sidewallbéi féiert.
Equipement-Zesummenhang Faktoren
D'Performance an de Status vun der Ätzausrüstung hunn och e wichtegen Impakt op d'Ätzresultater. Zum Beispill, Problemer wéi ongläiche Plasma Verdeelung an der Reaktioun Chamber an ongläiche Elektroden zouzedrécken kann zu ongläiche Verdeelung vun Parameteren wéi Ion Dicht an Energie op der wafer Uewerfläch während Ätzen féieren.
Zousätzlech kann ongläich Temperaturkontrolle vun der Ausrüstung a liicht Schwankungen am Gasfloss och d'Uniformitéit vun Ätzen beaflossen, wat zu Sidewall Béie féiert.
Post Zäit: Dez-03-2024