D'Bildung vu Siliziumdioxid op der Uewerfläch vum Silizium gëtt Oxidatioun genannt, an d'Schafung vu stabilen a staark adherent Siliziumdioxid huet zu der Gebuert vun der Silizium integréierter Circuit Planar Technologie gefouert. Och wann et vill Manéiere gi fir Siliziumdioxid direkt op der Uewerfläch vum Silizium ze wuessen, gëtt et normalerweis duerch thermesch Oxidatioun gemaach, wat d'Silizium an eng héich Temperatur oxidéierend Ëmfeld (Sauerstoff, Waasser) aussetzt. Thermesch Oxidatiounsmethoden kënnen d'Filmdicke a Silizium / Siliciumdioxid-Interface-Charakteristiken während der Virbereedung vu Siliziumdioxidfilmer kontrolléieren. Aner Technike fir Siliziumdioxid ze wuessen sinn Plasma Anodiséierung a naass Anodiséierung, awer keng vun dësen Technike gouf wäit an VLSI Prozesser benotzt.
Silizium weist eng Tendenz fir stabil Siliziumdioxid ze bilden. Wann frësch gesplécktem Silizium un engem oxidéierende Ëmfeld (wéi Sauerstoff, Waasser) ausgesat ass, wäert et och bei Raumtemperatur eng ganz dënn Oxidschicht bilden (<20Å). Wann Silizium un engem oxidéierende Ëmfeld bei héijer Temperatur ausgesat ass, gëtt eng méi décker Oxidschicht mat engem méi séieren Taux generéiert. De Basismechanismus vun der Siliziumdioxidbildung aus Silizium ass gutt verstanen. Deal and Grove hunn e mathematesche Modell entwéckelt, deen d'Wuessdynamik vun Oxidfilmer méi déck wéi 300Å genau beschreift. Si hu virgeschloen datt d'Oxidatioun op déi folgend Manéier duerchgefouert gëtt, dat heescht datt den Oxidant (Waassermoleküle a Sauerstoffmoleküle) duerch déi existent Oxidschicht op d'Si/SiO2-Interface diffuséiert, wou den Oxidant mat Silizium reagéiert fir Siliziumdioxid ze bilden. D'Haaptreaktioun fir Siliziumdioxid ze bilden ass wéi follegt beschriwwen:
D'Oxidatiounsreaktioun geschitt um Si / SiO2 Interface, also wann d'Oxidschicht wiisst, gëtt Silizium kontinuéierlech verbraucht an d'Interface lues a lues Silizium invadéiert. No der entspriechender Dicht a Molekulare Gewiicht vu Silizium a Siliziumdioxid, kann et festgestallt ginn datt de Silizium, dee fir d'Dicke vun der leschter Oxidschicht verbraucht gëtt, 44% ass. Op dës Manéier, wann d'Oxidschicht 10.000Å wiisst, ginn 4400Å Silizium verbraucht. Dës Relatioun ass wichteg fir d'Berechnung vun der Héicht vun de Schrëtt geformt op derSilicon wafer. D'Schrëtt sinn d'Resultat vu verschiddenen Oxidatiounsraten op verschiddene Plazen op der Siliziumwafer Uewerfläch.
Mir liwweren och héich Puritéit Graphit a Siliziumkarbidprodukter, déi wäit an der Waferveraarbechtung wéi Oxidatioun, Diffusioun an Ausglühung benotzt ginn.
Wëllkomm Clienten aus der ganzer Welt fir eis fir eng weider Diskussioun ze besichen!
https://www.vet-china.com/
Post Zäit: Nov-13-2024