Silicon Carbide Wafer Boot ass e Laaschtungsapparat fir Wafers, haaptsächlech an Solar- a Halbleiterdiffusiounsprozesser benotzt. Et huet Charakteristiken wéi Verschleißbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, Héichtemperatur Impaktbeständegkeet, Resistenz géint Plasma-Bombardement, Héichtemperaturlagerkapazitéit, héich thermesch Konduktivitéit, héich Wärmevergëftung, a laangfristeg Notzung, déi net einfach ze béien an deforméieren. Eis Firma benotzt High-Purity Silicium Carbide Material fir d'Liewensdauer ze garantéieren a bitt personaliséiert Designen, dorënner verschidde vertikal an horizontal Wafer Boot.
Material Dateblatt
| 材料Material | R-SiC |
| 使用温度Aarbechtstemperatur (°C) | 1600°C (氧化气氛Oxidéierend Ëmfeld)1700°C (还原气氛Reduktiounsëmfeld) |
| SiC 含量SiC Inhalt (%) | > 99 |
| 自由Si 含量 Gratis Si Inhalt (%) | < 0.1 |
| 体积密度Bulk Dicht (g/cm3) | 2,60-2,70 |
| 气孔率Scheinbar Porositéit (%) | < 16 |
| 抗压强度Kraaft Kraaft (MPa) | > 600 |
| 常温抗弯强度Kale Béie Kraaft (MPa) | 80-90 (20°C) |
| 高温抗弯强度Hot Béie Stäerkt (MPa) | 90-100 (1400°C) |
| 热膨胀系数 Thermesch Expansiounskoeffizient @1500°C (10-6/°C) | 4,70 |
| 导热系数Wärmeleitung @1200°C (W/m•K) | 23 |
| 杨氏模量Elastesche Modul (GPa) | 240 |
| 抗热震性Wärmeschockbeständegkeet | 很好Extrem gutt |
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltdass eng High-Tech Entreprise, déi sech op d'Produktioun a Verkaf vun High-End fortgeschratt Materialien, d'Materialien an d'Technologie konzentréiertdorënnerGraphit, Siliziumkarbid, Keramik, Uewerflächenbehandlung a sou weider. D'Produkter gi wäit an der Photovoltaik, Halbleiter, nei Energie, Metallurgie, asw.
Eis technesch Equipe kënnt aus Top Gewalt Fuerschung Institutiounen, kënne méi professionell Material Léisungen biddenfir dech.
Wëllkomm Iech häerzlech op eis Fabréck ze besichen, loosst eis weider Diskussioun hunn!
