4 Zoll GaAs Wafer

Kuerz Beschreiwung:

VET Energy 4 Zoll GaAs Wafer ass e High-Purity Semiconductor Substrat bekannt fir seng exzellent elektronesch Eegeschaften, wat et eng ideal Wiel fir eng breet Palette vun Uwendungen mécht. VET Energy benotzt fortgeschratt Kristallwachstumstechniken fir GaAs Wafere mat aussergewéinlecher Uniformitéit, gerénger Defektdicht a präzisen Dopingniveauen ze produzéieren.


Produit Detailer

Produit Tags

De 4 Zoll GaAs Wafer vu VET Energy ass e wesentlecht Material fir Héichgeschwindegkeet an optoelektronesch Geräter, dorënner RF Verstärker, LEDs a Solarzellen. Dës Wafere si bekannt fir hir héich Elektronemobilitéit a Fäegkeet fir op méi héije Frequenzen ze bedreiwen, sou datt se e Schlësselkomponent an fortgeschratt Hallefleitapplikatioune maachen. VET Energy garantéiert Top-Qualitéit GaAs Wafere mat eenheetleche Dicke a minimale Mängel, gëeegent fir eng Rei vun usprochsvollen Fabrikatiounsprozesser.

Dës 4 Zoll GaAs Wafers si kompatibel mat verschiddene Hallefleitmaterialien wéi Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, a SiN Substrat, sou datt se villsäiteg fir Integratioun an verschidden Apparatarchitekturen maachen. Egal ob fir Epi Wafer Produktioun benotzt oder nieft opzedeelen Materialien wéi Gallium Oxide Ga2O3 an AlN Wafer, si bidden eng zouverlässeg Basis fir d'nächst Generatioun Elektronik. Zousätzlech sinn d'Wafers voll kompatibel mat Kassett-baséiert Handhabungssystemer, fir glat Operatiounen a béid Fuerschungs- a High-Volumen-Fabrikatiounsëmfeld ze garantéieren.

VET Energy bitt e komplette Portfolio vu Hallefleitsubstrater, dorënner Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, an AlN Wafer. Eis divers Produktlinn entsprécht d'Bedierfnesser vu verschiddenen elektroneschen Uwendungen, vu Kraaftelektronik bis RF an Optoelektronik.

VET Energy bitt personaliséierbar GaAs Wafere fir Är spezifesch Ufuerderungen z'erreechen, dorënner verschidden Dopingniveauen, Orientatiounen an Uewerflächefinishen. Eis Expert Team bitt technesch Ënnerstëtzung an After-Sales Service fir Ären Erfolleg ze garantéieren.

第6页-36
第6页-35

WAFERING SPESIFIKASJONER

*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6 um

≤6 um

Bow(GF3YFCD)-Absolut Wäert

≤15μm

≤15μm

≤25 μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25 μm

≤25 μm

≤40 μm

≤25 μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer Edge

Beveling

SURFACE FINISH

*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

Surface Finish

Duebel Säit Optesch Polnesch, Si- Face CMP

SurfaceRoughness

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Rand Chips

Keen erlaabt (Längt a Breet≥0,5 mm)

Abriecher

Keen erlaabt

Kratzer (Si-Face)

Quty.≤5, Kumulativ
Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser

Quty.≤5, Kumulativ
Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser

Quty.≤5, Kumulativ
Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser

Rëss

Keen erlaabt

Rand Ausgrenzung

3 mm

tech_1_2_Gréisst
Zeechnen (2)

  • virdrun:
  • Nächste:

  • WhatsApp Online Chat!