D'Produktlinn vum VET Energy ass net limitéiert op GaN op SiC Wafers. Mir bidden och eng breet Palette vun semiconductor Substrat Material, dorënner Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, Epi Wafer, etc. Zousätzlech, entwéckelen mir och aktiv nei breet Bandgap semiconductor Materialien, wéi Gallium Oxide Ga2O3 an AlN Wafer, fir d'Demande vun der zukünfteger Kraaftelektronikindustrie fir méi héich Leeschtungsgeräter ze treffen.
VET Energy bitt flexibel Personnalisatiounsservicer, a kann GaN epitaxial Schichten vu verschiddenen Dicken, verschidden Aarte vun Doping, a verschidde Wafergréissten no de spezifesche Bedierfnesser vun de Clienten personaliséieren. Zousätzlech bidde mir och professionell technesch Ënnerstëtzung an After-Sales-Service fir Clienten ze hëllefen séier héich performant Kraaftelektronesch Geräter z'entwéckelen.
WAFERING SPESIFIKASJONER
*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend
Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 um | ≤6 um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolut Wäert | ≤15μm | ≤15μm | ≤25 μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Beveling |
SURFACE FINISH
*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend
Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Surface Finish | Duebel Säit Optesch Polnesch, Si- Face CMP | ||||
SurfaceRoughness | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Rand Chips | Keen erlaabt (Längt a Breet≥0,5 mm) | ||||
Abriecher | Keen erlaabt | ||||
Kratzer (Si-Face) | Quty.≤5, Kumulativ | Quty.≤5, Kumulativ | Quty.≤5, Kumulativ | ||
Rëss | Keen erlaabt | ||||
Rand Ausgrenzung | 3 mm |