6 Zoll P Typ Silicon Wafer

Kuerz Beschreiwung:

VET Energy 6-Zoll P-Typ Siliziumwafer ass e qualitativ héichwäertegt Halbleiterbasismaterial, wäit an der Fabrikatioun vu verschiddenen elektroneschen Apparater benotzt. VET Energy benotzt fortgeschratt CZ Wuesstem Prozess ze suergen, datt de wafer excellent Kristallsglas produzéiert Qualitéit huet, niddereg Mängel Dicht an héich Uniformitéit.


Produit Detailer

Produit Tags

D'Produktlinn vum VET Energy ass net limitéiert op Siliziumwaferen. Mir bidden och eng breet Palette vun Semiconductor Substrat Materialien, dorënner SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, Epi Wafer, etc., souwéi nei breet Bandgap Hallefleitmaterialien wéi Gallium Oxide Ga2O3 an AlN Wafer. Dës Produkter kënnen d'Applikatiounsbedürfnisser vu verschiddene Clienten a Kraaftelektronik, Radiofrequenz, Sensoren an aner Felder treffen.

Applikatioun Felder:
Integréiert Circuits:Als Basismaterial fir integréiert Circuit Fabrikatioun, P-Typ Silizium Wafere gi wäit a verschiddene Logikkreesser, Erënnerungen, etc.
Power Apparater:P-Typ Siliziumwafere kënne benotzt ginn fir Kraaftapparater wéi Kraafttransistoren an Dioden ze maachen.
Sensoren:P-Typ Silizium Wafere kënne benotzt ginn fir verschidden Aarte vu Sensoren ze maachen, wéi Drocksensoren, Temperatursensoren, etc.
Solarzellen:P-Typ Siliziumwafere sinn e wichtege Bestanddeel vu Solarzellen.

VET Energy bitt Clienten personaliséiert Wafer-Léisungen, a kënne Wafere mat ënnerschiddleche Resistivitéit, verschiddene Sauerstoffgehalt, ënnerschiddlech Dicke an aner Spezifikatioune no de spezifesche Bedierfnesser vun de Clienten personaliséieren. Zousätzlech bidden mir och professionell technesch Ënnerstëtzung an After-Sales-Service fir Clienten ze hëllefen verschidde Probleemer ze léisen déi am Produktiounsprozess begéint sinn.

第6页-36
第6页-35

WAFERING SPESIFIKASJONER

*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6 um

≤6 um

Bow(GF3YFCD)-Absolut Wäert

≤15μm

≤15μm

≤25 μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25 μm

≤25 μm

≤40 μm

≤25 μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer Edge

Beveling

SURFACE FINISH

*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

Surface Finish

Duebel Säit Optesch Polnesch, Si- Face CMP

SurfaceRoughness

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Rand Chips

Keen erlaabt (Längt a Breet≥0,5 mm)

Abriecher

Keen erlaabt

Kratzer (Si-Face)

Quty.≤5, Kumulativ
Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser

Quty.≤5, Kumulativ
Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser

Quty.≤5, Kumulativ
Längt ≤0,5 × wafer Duerchmiesser

Rëss

Keen erlaabt

Rand Ausgrenzung

3 mm

tech_1_2_Gréisst
Zeechnen (2)

  • virdrun:
  • Nächste:

  • WhatsApp Online Chat!