D'Produktlinn vum VET Energy ass net limitéiert op Siliziumwaferen. Mir bidden och eng breet Palette vun Semiconductor Substrat Materialien, dorënner SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, Epi Wafer, etc., souwéi nei breet Bandgap Hallefleitmaterialien wéi Gallium Oxide Ga2O3 an AlN Wafer. Dës Produkter kënnen d'Applikatiounsbedürfnisser vu verschiddene Clienten a Kraaftelektronik, Radiofrequenz, Sensoren an aner Felder treffen.
Applikatioun Felder:
•Integréiert Circuits:Als Basismaterial fir integréiert Circuit Fabrikatioun, P-Typ Silicon wafers gi wäit benotzt a verschiddene Logik Circuiten, Erënnerungen, etc.
•Power Apparater:P-Typ Siliziumwafere kënne benotzt ginn fir Kraaftapparater wéi Kraafttransistoren an Dioden ze maachen.
•Sensoren:P-Typ Silizium Wafere kënne benotzt ginn fir verschidden Aarte vu Sensoren ze maachen, wéi Drocksensoren, Temperatursensoren, etc.
•Solarzellen:P-Typ Siliziumwafere sinn e wichtege Bestanddeel vu Solarzellen.
VET Energy bitt Clienten personaliséiert Wafer-Léisungen, a kënne Wafere mat ënnerschiddleche Resistivitéit, verschiddene Sauerstoffgehalt, ënnerschiddlech Dicke an aner Spezifikatioune no de spezifesche Bedierfnesser vun de Clienten personaliséieren. Zousätzlech bidden mir och professionell technesch Ënnerstëtzung an After-Sales-Service fir Clienten ze hëllefen verschidde Probleemer ze léisen déi am Produktiounsprozess begéint sinn.
WAFERING SPESIFIKASJONER
*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend
Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 um | ≤6 um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolut Wäert | ≤15μm | ≤15μm | ≤25 μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | < 2 μm | ||||
Wafer Edge | Beveling |
SURFACE FINISH
*n-Pm=n-Typ Pm-Grade,n-Ps=n-Typ Ps-Grade,Sl=Semi-isoléierend
Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Uewerfläch Finish | Duebel Säit Optesch Polnesch, Si- Face CMP | ||||
SurfaceRoughness | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Rand Chips | Keen erlaabt (Längt a Breet≥0,5 mm) | ||||
Abriecher | Keen erlaabt | ||||
Kratzer (Si-Face) | Quty.≤5, Kumulativ | Quty.≤5, Kumulativ | Quty.≤5, Kumulativ | ||
Rëss | Keen erlaabt | ||||
Rand Ausgrenzung | 3 mm |