VET Energy의 단결정 8인치 실리콘 웨이퍼는 반도체 및 전자 장치 제조를 위한 업계 최고의 솔루션입니다. 우수한 순도와 결정 구조를 제공하는 이 웨이퍼는 광전지 및 반도체 산업의 고성능 응용 분야에 이상적입니다. VET 에너지는 모든 웨이퍼가 최고 표준을 충족하도록 꼼꼼하게 처리되어 고급 전자 장치 생산에 필수적인 탁월한 균일성과 매끄러운 표면 마감을 제공합니다.
이러한 단결정 8인치 실리콘 웨이퍼는 Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼, SiN 기판을 포함한 다양한 재료와 호환되며 특히 Epi 웨이퍼 성장에 적합합니다. 우수한 열 전도성과 전기적 특성으로 인해 고효율 제조를 위한 신뢰할 수 있는 선택이 됩니다. 또한 이러한 웨이퍼는 산화 갈륨 Ga2O3 및 AlN 웨이퍼와 같은 재료와 원활하게 작동하도록 설계되어 전력 전자 장치부터 RF 장치까지 광범위한 응용 분야를 제공합니다. 또한 웨이퍼는 대량 자동화 생산 환경을 위한 카세트 시스템에 완벽하게 들어맞습니다.
VET Energy의 제품 라인은 실리콘 웨이퍼에만 국한되지 않습니다. 또한 SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer 등 다양한 반도체 기판 소재와 산화갈륨 Ga2O3, AlN Wafer 등의 새로운 Wide Bandgap 반도체 소재를 제공하고 있습니다. 이러한 제품은 전력 전자, 무선 주파수, 센서 및 기타 분야에서 다양한 고객의 애플리케이션 요구 사항을 충족할 수 있습니다.
VET Energy는 고객에게 맞춤형 웨이퍼 솔루션을 제공합니다. 우리는 고객의 특정 요구에 따라 다양한 저항률, 산소 함량, 두께 등을 가진 웨이퍼를 맞춤화할 수 있습니다. 또한 고객이 생산 과정에서 직면하는 다양한 문제를 해결할 수 있도록 전문적인 기술 지원 및 애프터 서비스도 제공합니다.
웨이퍼링 사양
*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연
| 목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
| nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| 활(GF3YFCD)-절대값 | 15μm 이하 | 15μm 이하 | ≤25μm | 15μm 이하 | |
| 워프(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| 웨이퍼 에지 | 베벨링 | ||||
표면 마감
*n-Pm=n형 Pm-등급,n-Ps=n형 Ps-등급,Sl=반절연
| 목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
| nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
| 표면 마감 | 양면 광학 광택제, Si- Face CMP | ||||
| 표면 거칠기 | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-페이스 Ra≤0.2nm | |||
| 엣지 칩 | 없음 허용됨(길이 및 너비≥0.5mm) | ||||
| 들여쓰기 | 허용되지 않음 | ||||
| 스크래치(Si-Face) | 수량 ≤5, 누적 | 수량 ≤5, 누적 | 수량 ≤5, 누적 | ||
| 균열 | 허용되지 않음 | ||||
| 가장자리 제외 | 3mm | ||||
