ಸುದ್ದಿ

ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ GaN ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿತ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತ ಪರಿಚಯ
24-06-28 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
1. ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಅರೆವಾಹಕಗಳು Si ಮತ್ತು Ge ನಂತಹ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಮೊದಲ ತಲೆಮಾರಿನ ಅರೆವಾಹಕ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಗೆ ವಸ್ತು ಆಧಾರವಾಗಿದೆ. ಮೊದಲ ತಲೆಮಾರಿನ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ವಸ್ತುಗಳು ಹಾಕಿದವು...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ
23.5 ಬಿಲಿಯನ್, ಸುಝೌನ ಸೂಪರ್ ಯುನಿಕಾರ್ನ್ ಐಪಿಒಗೆ ಹೋಗುತ್ತಿದೆ
24-06-28 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
9 ವರ್ಷಗಳ ಉದ್ಯಮಶೀಲತೆಯ ನಂತರ, ಇನ್ನೋಸೈನ್ಸ್ ಒಟ್ಟು ಹಣಕಾಸುದಲ್ಲಿ 6 ಶತಕೋಟಿ ಯುವಾನ್‌ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಸಂಗ್ರಹಿಸಿದೆ ಮತ್ತು ಅದರ ಮೌಲ್ಯಮಾಪನವು ಬೆರಗುಗೊಳಿಸುವ 23.5 ಶತಕೋಟಿ ಯುವಾನ್‌ಗೆ ತಲುಪಿದೆ. ಹೂಡಿಕೆದಾರರ ಪಟ್ಟಿ ಡಜನ್‌ಗಟ್ಟಲೆ ಕಂಪನಿಗಳಷ್ಟಿದೆ: ಫುಕುನ್ ವೆಂಚರ್ ಕ್ಯಾಪಿಟಲ್, ಡಾಂಗ್‌ಫಾಂಗ್ ಸರ್ಕಾರಿ ಸ್ವಾಮ್ಯದ ಆಸ್ತಿಗಳು, ಸುಝೌ ಝಾನಿ, ವುಜಿಯಾನ್...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ
ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪಿತ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ವಸ್ತುಗಳ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಹೇಗೆ ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತವೆ?
24-06-25 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸುವ ಮೇಲ್ಮೈ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾಗಿದ್ದು ಅದು ವಸ್ತುಗಳ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ. ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನವನ್ನು ವಿವಿಧ ತಯಾರಿಕೆಯ ವಿಧಾನಗಳ ಮೂಲಕ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಜೋಡಿಸಬಹುದು, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ, ಭೌತಿಕ...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ
ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ GaN ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿತ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಪರಿಚಯ
24-06-25 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
1. ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಅರೆವಾಹಕಗಳು Si ಮತ್ತು Ge ನಂತಹ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಮೊದಲ ತಲೆಮಾರಿನ ಅರೆವಾಹಕ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಗೆ ವಸ್ತು ಆಧಾರವಾಗಿದೆ. ಮೊದಲ ತಲೆಮಾರಿನ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ವಸ್ತುಗಳು ಎಫ್...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ
ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಮೇಲೆ ಪೋರಸ್ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್‌ನ ಪರಿಣಾಮದ ಮೇಲೆ ಸಂಖ್ಯಾತ್ಮಕ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ ಅಧ್ಯಯನ
24-06-18 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
SiC ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಮೂಲ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಕಚ್ಚಾ ವಸ್ತುಗಳ ಉತ್ಪತನ ಮತ್ತು ವಿಘಟನೆ, ತಾಪಮಾನದ ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ಕ್ರಿಯೆಯ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಅನಿಲ ಹಂತದ ವಸ್ತುಗಳ ಸಾಗಣೆ ಮತ್ತು ಬೀಜ ಸ್ಫಟಿಕದಲ್ಲಿ ಅನಿಲ ಹಂತದ ಪದಾರ್ಥಗಳ ಮರುಸ್ಫಟಿಕೀಕರಣ ಬೆಳವಣಿಗೆ ಎಂದು ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇದರ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ,...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ
ವಿಶೇಷ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ವಿಧಗಳು
24-06-17 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
ವಿಶೇಷ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಅತ್ಯುತ್ತಮ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಸ್ಥಿರತೆ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ವಿದ್ಯುತ್ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಶಾಖ ಚಿಕಿತ್ಸೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಒತ್ತಡದ ಸಂಸ್ಕರಣೆಯ ನಂತರ ಇದನ್ನು ನೈಸರ್ಗಿಕ ಅಥವಾ ಕೃತಕ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್‌ನಿಂದ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ
ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ಠೇವಣಿ ಉಪಕರಣಗಳ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ - PECVD/LPCVD/ALD ಉಪಕರಣಗಳ ತತ್ವಗಳು ಮತ್ತು ಅನ್ವಯಗಳು
24-06-12 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ಶೇಖರಣೆಯು ಅರೆವಾಹಕದ ಮುಖ್ಯ ತಲಾಧಾರದ ವಸ್ತುವಿನ ಮೇಲೆ ಫಿಲ್ಮ್ ಪದರವನ್ನು ಲೇಪಿಸುವುದು. ಈ ಫಿಲ್ಮ್ ಅನ್ನು ವಿವಿಧ ವಸ್ತುಗಳಿಂದ ತಯಾರಿಸಬಹುದು, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಸಂಯುಕ್ತ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್, ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಪಾಲಿಸಿಲಿಕಾನ್, ಲೋಹದ ತಾಮ್ರ, ಇತ್ಯಾದಿ. ಲೇಪನಕ್ಕಾಗಿ ಬಳಸುವ ಉಪಕರಣವನ್ನು ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ಡಿಪಾಸಿಷನ್ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ.
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ
ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸುವ ಪ್ರಮುಖ ವಸ್ತುಗಳು - ಉಷ್ಣ ಕ್ಷೇತ್ರ
24-06-12 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ನ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಉಷ್ಣ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ನಡೆಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಉತ್ತಮ ಉಷ್ಣ ಕ್ಷೇತ್ರವು ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ಅನುಕೂಲಕರವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸ್ಫಟಿಕೀಕರಣ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಉಷ್ಣ ಕ್ಷೇತ್ರದ ವಿನ್ಯಾಸವು ತಾಪಮಾನದ ಇಳಿಜಾರುಗಳಲ್ಲಿನ ಬದಲಾವಣೆಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ನಿರ್ಧರಿಸುತ್ತದೆ ...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ
ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಕುಲುಮೆಯ ತಾಂತ್ರಿಕ ತೊಂದರೆಗಳು ಯಾವುವು?
24-06-07 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಕುಲುಮೆಯು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಪ್ರಮುಖ ಸಾಧನವಾಗಿದೆ. ಇದು ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಸ್ಫಟಿಕದಂತಹ ಸಿಲಿಕಾನ್ ದರ್ಜೆಯ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಕುಲುಮೆಯನ್ನು ಹೋಲುತ್ತದೆ. ಕುಲುಮೆಯ ರಚನೆಯು ತುಂಬಾ ಸಂಕೀರ್ಣವಾಗಿಲ್ಲ. ಇದು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಕುಲುಮೆಯ ದೇಹ, ತಾಪನ ವ್ಯವಸ್ಥೆ, ಕಾಯಿಲ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಮಿಷನ್ ಯಾಂತ್ರಿಕತೆಯಿಂದ ಕೂಡಿದೆ ...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ

<<ಹಿಂದಿನ 4 5 6 7 8 9 10 ಮುಂದೆ >>> ಪುಟ 7/60

ಸುದ್ದಿ

ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ GaN ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿತ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತ ಪರಿಚಯ

23.5 ಬಿಲಿಯನ್, ಸುಝೌನ ಸೂಪರ್ ಯುನಿಕಾರ್ನ್ ಐಪಿಒಗೆ ಹೋಗುತ್ತಿದೆ

ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪಿತ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ವಸ್ತುಗಳ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಹೇಗೆ ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತವೆ?

ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ GaN ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿತ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಪರಿಚಯ

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಮೇಲೆ ಪೋರಸ್ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್‌ನ ಪರಿಣಾಮದ ಮೇಲೆ ಸಂಖ್ಯಾತ್ಮಕ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ ಅಧ್ಯಯನ

ವಿಶೇಷ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ವಿಧಗಳು

ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ಠೇವಣಿ ಉಪಕರಣಗಳ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ - PECVD/LPCVD/ALD ಉಪಕರಣಗಳ ತತ್ವಗಳು ಮತ್ತು ಅನ್ವಯಗಳು

ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸುವ ಪ್ರಮುಖ ವಸ್ತುಗಳು - ಉಷ್ಣ ಕ್ಷೇತ್ರ

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಕುಲುಮೆಯ ತಾಂತ್ರಿಕ ತೊಂದರೆಗಳು ಯಾವುವು?

ಹೊಸ ಶಕ್ತಿಯ ವಾಹನಗಳು ನಿರ್ವಾತವನ್ನು ಹೇಗೆ ಸಾಧಿಸುತ್ತವೆ...

ವೇಫರ್ ಡೈಸಿಂಗ್‌ಗಾಗಿ ನಾವು ಯುವಿ ಟೇಪ್ ಅನ್ನು ಏಕೆ ಬಳಸುತ್ತೇವೆ? |...

ವೇಫರ್ ವಾರ್ಪೇಜ್, ಏನು ಮಾಡಬೇಕು?

Si ಮತ್ತು NaOH ನ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ದರವು ಏಕೆ f ಆಗಿದೆ...

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಏಕೆ ತುಂಬಾ ಕಠಿಣವಾಗಿದೆ ಆದರೆ ದುರ್ಬಲವಾಗಿದೆ?