ಸುದ್ದಿ

4 ಬಿಲಿಯನ್! SK ಹೈನಿಕ್ಸ್ ಪರ್ಡ್ಯೂ ರಿಸರ್ಚ್ ಪಾರ್ಕ್‌ನಲ್ಲಿ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಸುಧಾರಿತ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ ಹೂಡಿಕೆಯನ್ನು ಪ್ರಕಟಿಸಿದೆ
24-07-09 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
ವೆಸ್ಟ್ ಲಫಯೆಟ್ಟೆ, ಇಂಡಿಯಾನಾ - ಎಸ್‌ಕೆ ಹೈನಿಕ್ಸ್ ಇಂಕ್. ಪರ್ಡ್ಯೂ ರಿಸರ್ಚ್ ಪಾರ್ಕ್‌ನಲ್ಲಿ ಕೃತಕ ಬುದ್ಧಿಮತ್ತೆ ಉತ್ಪನ್ನಗಳಿಗಾಗಿ ಸುಧಾರಿತ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ ತಯಾರಿಕೆ ಮತ್ತು ಆರ್ & ಡಿ ಸೌಲಭ್ಯವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಲು ಸುಮಾರು $4 ಬಿಲಿಯನ್ ಹೂಡಿಕೆ ಮಾಡುವ ಯೋಜನೆಯನ್ನು ಪ್ರಕಟಿಸಿತು. ಪಶ್ಚಿಮ ಲಫಾಯೆಟ್‌ನಲ್ಲಿ US ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಪೂರೈಕೆ ಸರಪಳಿಯಲ್ಲಿ ಪ್ರಮುಖ ಲಿಂಕ್ ಅನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ
ಲೇಸರ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ರೂಪಾಂತರಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ
24-07-08 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
1. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಪ್ರೊಸೆಸಿಂಗ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಅವಲೋಕನವು ಪ್ರಸ್ತುತ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಹಂತಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿದೆ: ಹೊರ ವಲಯವನ್ನು ರುಬ್ಬುವುದು, ಸ್ಲೈಸಿಂಗ್, ಚೇಂಫರಿಂಗ್, ಗ್ರೈಂಡಿಂಗ್, ಪಾಲಿಶಿಂಗ್, ಕ್ಲೀನಿಂಗ್, ಇತ್ಯಾದಿ. ಅರೆವಾಹಕ ತಲಾಧಾರದಲ್ಲಿ ಸ್ಲೈಸಿಂಗ್ ಒಂದು ಪ್ರಮುಖ ಹಂತವಾಗಿದೆ...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ
ಮುಖ್ಯವಾಹಿನಿಯ ಉಷ್ಣ ಕ್ಷೇತ್ರದ ವಸ್ತುಗಳು: C/C ಸಂಯೋಜಿತ ವಸ್ತುಗಳು
24-07-01 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
ಕಾರ್ಬನ್-ಕಾರ್ಬನ್ ಸಂಯೋಜನೆಗಳು ಒಂದು ರೀತಿಯ ಕಾರ್ಬನ್ ಫೈಬರ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳಾಗಿವೆ, ಕಾರ್ಬನ್ ಫೈಬರ್ ಅನ್ನು ಬಲವರ್ಧನೆಯ ವಸ್ತುವಾಗಿ ಮತ್ತು ಠೇವಣಿ ಮಾಡಿದ ಇಂಗಾಲವನ್ನು ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ ವಸ್ತುವಾಗಿ ಹೊಂದಿದೆ. C/C ಸಂಯುಕ್ತಗಳ ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ ಕಾರ್ಬನ್ ಆಗಿದೆ. ಇದು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಧಾತುರೂಪದ ಇಂಗಾಲದಿಂದ ಕೂಡಿರುವುದರಿಂದ, ಇದು ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾದ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ನಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ
SiC ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಮೂರು ಪ್ರಮುಖ ತಂತ್ರಗಳು
24-07-01 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
ಚಿತ್ರ 3 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ, SiC ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನು ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟ ಮತ್ತು ದಕ್ಷತೆಯೊಂದಿಗೆ ಒದಗಿಸುವ ಗುರಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಮೂರು ಪ್ರಬಲ ತಂತ್ರಗಳಿವೆ: ದ್ರವ ಹಂತದ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ (LPE), ಭೌತಿಕ ಆವಿ ಸಾರಿಗೆ (PVT), ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನದ ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ (HTCVD). PVT ಎನ್ನುವುದು SiC ಪಾಪವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಸುಸ್ಥಾಪಿತ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿದೆ...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ
ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ GaN ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿತ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತ ಪರಿಚಯ
24-06-28 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
1. ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಅರೆವಾಹಕಗಳು Si ಮತ್ತು Ge ನಂತಹ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಮೊದಲ ತಲೆಮಾರಿನ ಅರೆವಾಹಕ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಗೆ ವಸ್ತು ಆಧಾರವಾಗಿದೆ. ಮೊದಲ ತಲೆಮಾರಿನ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ವಸ್ತುಗಳು ಹಾಕಿದವು...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ
23.5 ಬಿಲಿಯನ್, ಸುಝೌನ ಸೂಪರ್ ಯುನಿಕಾರ್ನ್ ಐಪಿಒಗೆ ಹೋಗುತ್ತಿದೆ
24-06-28 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
9 ವರ್ಷಗಳ ಉದ್ಯಮಶೀಲತೆಯ ನಂತರ, ಇನ್ನೋಸೈನ್ಸ್ ಒಟ್ಟು ಹಣಕಾಸುದಲ್ಲಿ 6 ಶತಕೋಟಿ ಯುವಾನ್‌ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಸಂಗ್ರಹಿಸಿದೆ ಮತ್ತು ಅದರ ಮೌಲ್ಯಮಾಪನವು ಬೆರಗುಗೊಳಿಸುವ 23.5 ಶತಕೋಟಿ ಯುವಾನ್‌ಗೆ ತಲುಪಿದೆ. ಹೂಡಿಕೆದಾರರ ಪಟ್ಟಿ ಡಜನ್‌ಗಟ್ಟಲೆ ಕಂಪನಿಗಳಷ್ಟಿದೆ: ಫುಕುನ್ ವೆಂಚರ್ ಕ್ಯಾಪಿಟಲ್, ಡಾಂಗ್‌ಫಾಂಗ್ ಸರ್ಕಾರಿ ಸ್ವಾಮ್ಯದ ಆಸ್ತಿಗಳು, ಸುಝೌ ಝಾನಿ, ವುಜಿಯಾನ್...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ
ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪಿತ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ವಸ್ತುಗಳ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಹೇಗೆ ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತವೆ?
24-06-25 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸುವ ಮೇಲ್ಮೈ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾಗಿದ್ದು ಅದು ವಸ್ತುಗಳ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ. ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನವನ್ನು ವಿವಿಧ ತಯಾರಿಕೆಯ ವಿಧಾನಗಳ ಮೂಲಕ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಜೋಡಿಸಬಹುದು, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ, ಭೌತಿಕ...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ
ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ GaN ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿತ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಪರಿಚಯ
24-06-25 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
1. ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಅರೆವಾಹಕಗಳು Si ಮತ್ತು Ge ನಂತಹ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಮೊದಲ ತಲೆಮಾರಿನ ಅರೆವಾಹಕ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಗೆ ವಸ್ತು ಆಧಾರವಾಗಿದೆ. ಮೊದಲ ತಲೆಮಾರಿನ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ವಸ್ತುಗಳು ಎಫ್...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ
ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಮೇಲೆ ಪೋರಸ್ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್‌ನ ಪರಿಣಾಮದ ಮೇಲೆ ಸಂಖ್ಯಾತ್ಮಕ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ ಅಧ್ಯಯನ
24-06-18 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
SiC ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಮೂಲ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಕಚ್ಚಾ ವಸ್ತುಗಳ ಉತ್ಪತನ ಮತ್ತು ವಿಘಟನೆ, ತಾಪಮಾನದ ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ಕ್ರಿಯೆಯ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಅನಿಲ ಹಂತದ ವಸ್ತುಗಳ ಸಾಗಣೆ ಮತ್ತು ಬೀಜ ಸ್ಫಟಿಕದಲ್ಲಿ ಅನಿಲ ಹಂತದ ಪದಾರ್ಥಗಳ ಮರುಸ್ಫಟಿಕೀಕರಣ ಬೆಳವಣಿಗೆ ಎಂದು ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇದರ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ,...
ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ

<<ಹಿಂದಿನ 4 5 6 7 8 9 10 ಮುಂದೆ >>> ಪುಟ 7/60

ಸುದ್ದಿ

4 ಬಿಲಿಯನ್! SK ಹೈನಿಕ್ಸ್ ಪರ್ಡ್ಯೂ ರಿಸರ್ಚ್ ಪಾರ್ಕ್‌ನಲ್ಲಿ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಸುಧಾರಿತ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ ಹೂಡಿಕೆಯನ್ನು ಪ್ರಕಟಿಸಿದೆ

ಲೇಸರ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ರೂಪಾಂತರಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ

ಮುಖ್ಯವಾಹಿನಿಯ ಉಷ್ಣ ಕ್ಷೇತ್ರದ ವಸ್ತುಗಳು: C/C ಸಂಯೋಜಿತ ವಸ್ತುಗಳು

SiC ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಮೂರು ಪ್ರಮುಖ ತಂತ್ರಗಳು

ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ GaN ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿತ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತ ಪರಿಚಯ

23.5 ಬಿಲಿಯನ್, ಸುಝೌನ ಸೂಪರ್ ಯುನಿಕಾರ್ನ್ ಐಪಿಒಗೆ ಹೋಗುತ್ತಿದೆ

ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪಿತ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ವಸ್ತುಗಳ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಹೇಗೆ ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತವೆ?

ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ GaN ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿತ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಪರಿಚಯ

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಮೇಲೆ ಪೋರಸ್ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್‌ನ ಪರಿಣಾಮದ ಮೇಲೆ ಸಂಖ್ಯಾತ್ಮಕ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ ಅಧ್ಯಯನ

ಕಾರ್ಬನ್ ಫೈಬರ್ ಸಂಯೋಜನೆಯ ತಯಾರಿ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ...

ಕಾರ್ಬನ್/ಕಾರ್ಬನ್ ಸಂಯೋಜನೆಯ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳು...

PECVD ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಬೋಟ್ ಅನ್ನು ಹೇಗೆ ಸ್ವಚ್ಛಗೊಳಿಸುವುದು?| ವಿಇಟಿ ಇ...

ಸೋಲಾಗಾಗಿ PECVD ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ದೋಣಿಯ ತತ್ವ...

ಹೊಸ ಶಕ್ತಿಯ ವಾಹನಗಳು ನಿರ್ವಾತವನ್ನು ಹೇಗೆ ಸಾಧಿಸುತ್ತವೆ...