ព័ត៌មាន

ការណែនាំអំពីឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកជំនាន់ទី 3 GaN និងបច្ចេកវិទ្យាអេពីតាស៊ីលដែលពាក់ព័ន្ធ
ដោយ admin នៅថ្ងៃទី 24-06-25
1. semiconductor ជំនាន់ទីបី បច្ចេកវិទ្យា semiconductor ជំនាន់ទី 1 ត្រូវបានបង្កើតឡើងដោយផ្អែកលើសម្ភារៈ semiconductor ដូចជា Si និង Ge ។ វាគឺជាមូលដ្ឋានសម្ភារៈសម្រាប់ការអភិវឌ្ឍនៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រ និងបច្ចេកវិទ្យាសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា។ សម្ភារៈ semiconductor ជំនាន់ទី 1 បានដាក់...
អានបន្ថែម
ការសិក្សាក្លែងធ្វើលេខលើឥទ្ធិពលនៃក្រាហ្វិច porous លើការលូតលាស់គ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុនកាបៃ
ដោយ admin នៅថ្ងៃទី 24-06-18
ដំណើរការជាមូលដ្ឋាននៃការលូតលាស់គ្រីស្តាល់ SiC ត្រូវបានបែងចែកទៅជា sublimation និង decomposition នៃវត្ថុធាតុដើមនៅសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ការដឹកជញ្ជូនសារធាតុដំណាក់កាលឧស្ម័នក្រោមសកម្មភាពនៃជម្រាលសីតុណ្ហភាព និងការលូតលាស់ឡើងវិញនៃសារធាតុដំណាក់កាលឧស្ម័ននៅគ្រីស្តាល់គ្រាប់ពូជ។ ដោយផ្អែកលើចំណុចនេះ...
អានបន្ថែម
ប្រភេទនៃក្រាហ្វិចពិសេស
ដោយ admin ថ្ងៃទី 24-06-17
ក្រាហ្វិចពិសេសគឺជាវត្ថុធាតុក្រាហ្វិចដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ដង់ស៊ីតេខ្ពស់ និងកម្លាំងខ្ពស់ និងមានភាពធន់ទ្រាំនឹងការច្រេះល្អ ស្ថេរភាពសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងចរន្តអគ្គិសនីដ៏អស្ចារ្យ។ វាត្រូវបានធ្វើពីក្រាហ្វិចធម្មជាតិ ឬសិប្បនិម្មិត បន្ទាប់ពីការព្យាបាលកំដៅសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងដំណើរការសម្ពាធខ្ពស់...
អានបន្ថែម
ការវិភាគឧបករណ៍បន្សុទ្ធខ្សែភាពយន្តស្តើង - គោលការណ៍ និងការអនុវត្តឧបករណ៍ PECVD/LPCVD/ALD
ដោយ admin នៅថ្ងៃទី 24-06-12
ស្រទាប់នៃខ្សែភាពយន្តស្តើងគឺដើម្បីស្រោបស្រទាប់នៃខ្សែភាពយន្តនៅលើសម្ភារៈស្រទាប់ខាងក្រោមសំខាន់នៃ semiconductor ។ ខ្សែភាពយន្តនេះអាចត្រូវបានផលិតចេញពីវត្ថុធាតុផ្សេងៗដូចជា សមាសធាតុអ៊ីសូឡង់ស៊ីលីកុនឌីអុកស៊ីត ប៉ូលីស៊ីលីកុន semiconductor ទង់ដែង លោហធាតុ ជាដើម ឧបករណ៍ដែលប្រើសម្រាប់ស្រោបត្រូវបានគេហៅថា ស្រទាប់ហ្វីលស្តើង...
អានបន្ថែម
សមា្ភារៈសំខាន់ៗដែលកំណត់គុណភាពនៃការលូតលាស់ស៊ីលីកុន monocrystalline - វាលកំដៅ
ដោយ admin នៅថ្ងៃទី 24-06-12
ដំណើរការលូតលាស់នៃស៊ីលីកុន monocrystalline ត្រូវបានអនុវត្តទាំងស្រុងនៅក្នុងវាលកំដៅ។ វាលកំដៅដ៏ល្អគឺអំណោយផលដល់ការកែលម្អគុណភាពនៃគ្រីស្តាល់ និងមានប្រសិទ្ធិភាពគ្រីស្តាល់ខ្ពស់ជាង។ ការរចនានៃវាលកំដៅភាគច្រើនកំណត់ការផ្លាស់ប្តូរនៅក្នុងជម្រាលសីតុណ្ហភាព ...
អានបន្ថែម
តើអ្វីជាការលំបាកបច្ចេកទេសនៃចង្រ្កានគ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុនកាបូនិក?
ដោយ admin នៅថ្ងៃទី 24-06-07
ចង្រ្កានលូតលាស់គ្រីស្តាល់គឺជាឧបករណ៍ស្នូលសម្រាប់ការលូតលាស់គ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុនកាបៃ។ វាស្រដៀងនឹងចង្រ្កានគ្រីស្តាល់កម្រិតស៊ីលីកុនបែបប្រពៃណី។ រចនាសម្ព័ន្ធ furnace មិនស្មុគស្មាញខ្លាំងណាស់។ វាត្រូវបានផ្សំឡើងជាចម្បងនៃតួ furnace, ប្រព័ន្ធកំដៅ, យន្តការបញ្ជូន coil ...
អានបន្ថែម
តើអ្វីទៅជាពិការភាពនៃស្រទាប់ស៊ីលីកុន carbide epitaxial
ដោយ admin នៅថ្ងៃទី 24-06-05
បច្ចេកវិទ្យាស្នូលសម្រាប់ការលូតលាស់នៃសមា្ភារៈ SiC epitaxial គឺជាបច្ចេកវិទ្យាត្រួតពិនិត្យពិការភាពដំបូងបង្អស់ ជាពិសេសសម្រាប់បច្ចេកវិជ្ជាត្រួតពិនិត្យពិការភាព ដែលងាយនឹងខូចឧបករណ៍ ឬការថយចុះភាពជឿជាក់។ ការសិក្សាអំពីយន្តការនៃពិការភាពស្រទាប់ខាងក្រោមដែលលាតសន្ធឹងទៅក្នុងអេ...
អានបន្ថែម
គ្រាប់ធញ្ញជាតិដែលមានអុកស៊ីតកម្ម និងបច្ចេកវិទ្យាការលូតលាស់ epitaxial-Ⅱ
ដោយ admin នៅថ្ងៃទី 24-05-30
3. ការលូតលាស់ខ្សែភាពយន្តស្តើង Epitaxial ស្រទាប់ខាងក្រោមផ្តល់នូវស្រទាប់ទ្រទ្រង់រាងកាយ ឬស្រទាប់ conductive សម្រាប់ឧបករណ៍ថាមពល Ga2O3 ។ ស្រទាប់សំខាន់បន្ទាប់គឺស្រទាប់ឆានែលឬស្រទាប់ epitaxial ដែលប្រើសម្រាប់ធន់ទ្រាំនឹងវ៉ុលនិងការដឹកជញ្ជូនតាមក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូន។ ដើម្បីបង្កើនវ៉ុលបំបែក និងកាត់បន្ថយកុងដ...
អានបន្ថែម
Gallium oxide គ្រីស្តាល់តែមួយ និងបច្ចេកវិទ្យាការលូតលាស់ epitaxial
ដោយ admin នៅថ្ងៃទី 24-05-30
ឧបករណ៍ semiconductors ធំទូលាយ (WBG) តំណាងដោយ silicon carbide (SiC) និង gallium nitride (GaN) បានទទួលការចាប់អារម្មណ៍យ៉ាងទូលំទូលាយ។ ប្រជាជនមានការរំពឹងទុកខ្ពស់ចំពោះការរំពឹងទុកនៃការប្រើប្រាស់ស៊ីលីកុនកាបូននៅក្នុងរថយន្តអគ្គិសនី និងបណ្តាញអគ្គិសនី ក៏ដូចជាការរំពឹងទុកនៃការប្រើប្រាស់ហ្គាល...
អានបន្ថែម