ეს 6 დიუმიანი N ტიპის SiC ვაფლი შექმნილია ექსტრემალურ პირობებში გაუმჯობესებული მუშაობისთვის, რაც მას იდეალურ არჩევანს ხდის იმ აპლიკაციებისთვის, რომლებიც საჭიროებენ მაღალი სიმძლავრის და ტემპერატურის წინააღმდეგობას. ამ ვაფლთან დაკავშირებული ძირითადი პროდუქტებია Si ვაფლი, SiC სუბსტრატი, SOI ვაფლი და SiN სუბსტრატი. ეს მასალები უზრუნველყოფს ოპტიმალურ მუშაობას ნახევარგამტარების წარმოების სხვადასხვა პროცესებში, რაც საშუალებას აძლევს მოწყობილობებს, რომლებიც ენერგოეფექტური და გამძლეა.
კომპანიებისთვის, რომლებიც მუშაობენ Epi Wafer-თან, Gallium Oxide Ga2O3-თან, კასეტთან ან AlN ვაფლთან, VET Energy-ის 6 დიუმიანი N ტიპის SiC ვაფლი უზრუნველყოფს აუცილებელ საფუძველს ინოვაციური პროდუქტის განვითარებისთვის. იქნება ეს მაღალი სიმძლავრის ელექტრონიკაში თუ უახლესი RF ტექნოლოგიით, ეს ვაფლები უზრუნველყოფენ შესანიშნავ გამტარობას და მინიმალურ თერმული წინააღმდეგობას, არღვევს ეფექტურობისა და შესრულების საზღვრებს.


ვაფერინგის სპეციფიკაციები
*n-Pm=n-ტიპის Pm-Grade,n-Ps=n-ტიპის Ps-Grade,Sl=ნახევრად საიზოლაციო
ელემენტი | 8-ინჩი | 6-ინჩი | 4-ინჩი | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 მმ | ≤6 მმ | |||
მშვილდი (GF3YFCD) - აბსოლუტური მნიშვნელობა | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) - 10 მმ x 10 მმ | <2μm | ||||
ვაფლის ზღვარი | ბეველირება |
ზედაპირის დასრულება
*n-Pm=n-ტიპის Pm-Grade,n-Ps=n-ტიპის Ps-Grade,Sl=ნახევრად საიზოლაციო
ელემენტი | 8-ინჩი | 6-ინჩი | 4-ინჩი | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
ზედაპირის დასრულება | ორმხრივი ოპტიკური პოლონური, Si- Face CMP | ||||
ზედაპირის უხეშობა | (10მმ x 10მმ) Si-FaceRa≤0.2ნმ | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Edge Chips | არ არის ნებადართული (სიგრძე და სიგანე≥0,5 მმ) | ||||
შეწევა | არ არის ნებადართული | ||||
ნაკაწრები (Si-Face) | რაოდენობა.≤5, კუმულაციური | რაოდენობა.≤5, კუმულაციური | რაოდენობა.≤5, კუმულაციური | ||
ბზარები | არ არის ნებადართული | ||||
კიდეების გამორიცხვა | 3 მმ |


-
RTP/RTA SiC საფარის მატარებელი MOCVD ეპიტაქსიალური...
-
წყალბადის ბატარეა Pem საწვავის უჯრედი Mea ელექტროდი როგორც...
-
12 დიუმიანი სილიკონის ვაფლი ნახევარგამტარული ქსოვილისთვის...
-
საწვავის უჯრედი, სპეციალური სამაგრი შესამოწმებლად...
-
Cord Twisted Braided ნახშირბადის ბოჭკოვანი თოკი
-
ლითონის წყალბადის საწვავის უჯრედები 1000w Pemfc დასტა...