სილიკონის კარბიდით დაფარული გრაფიტის სუბსტრატი ნახევარგამტარისთვის, MOCVD სუსცეპტორი

SiC დაფარული სუსცეპტორების ძირითადი მახასიათებლები:

1. მაღალი ტემპერატურის ჟანგვის წინააღმდეგობა:გაუძლებს ტემპერატურას 1700℃-მდე, რაც შესაფერისს ხდის დამუშავების ექსტრემალურ პირობებში.

2. მაღალი სისუფთავე და თერმული ერთგვაროვნება:უზრუნველყოფს თანმიმდევრულ შედეგებს, რაც სასიცოცხლოდ მნიშვნელოვანიაMOCVD მგრძნობელობებიდა სხვა ზუსტი აპლიკაციები.

3. შესანიშნავი კოროზიის წინააღმდეგობა:მდგრადია მჟავების, ტუტეების, მარილის და სხვადასხვა ორგანული რეაგენტების მიმართ.

4. გაძლიერებული ზედაპირის სიმტკიცე:კომპაქტური ზედაპირი წვრილი ნაწილაკებით, რაც უზრუნველყოფს მაღალ გამძლეობას და ხანგრძლივობას.

5. გახანგრძლივებული მომსახურების ვადა:შექმნილია მდგრადი მუშაობისთვის, აჯობებს სტანდარტული სილიციუმის კარბიდის საფარით დაფარულ მგრძნობელობას მკაცრი დამუშავების გარემოში.

როგორც წამყვანი მწარმოებელი, VET Energy სპეციალიზირებულია მორგებულ გრაფიტში დასილიციუმის კარბიდის პროდუქტებისხვადასხვა საფარის ვარიანტებით, მათ შორისSiC საფარი, TaC საფარი, მინის ნახშირბადის საფარიდა პიროლიზური ნახშირბადის საფარი. ჩვენ ამაყად ვემსახურებით ნახევარგამტარულ და ფოტოელექტრო მრეწველობას, ვაწვდით სილიციუმის კარბიდით დაფარული გრაფიტის მგრძნობელობას, რომელიც აკმაყოფილებს სპეციფიკურ საოპერაციო მოთხოვნებს.

ჩვენი ტექნიკური გუნდი, საუკეთესო ადგილობრივი კვლევითი ინსტიტუტების გამოცდილებით, ეძღვნება მატერიალური გადაწყვეტილებების განვითარებას განვითარების საჭიროებებისთვის.SiC დაფარული გრაფიტის მგრძნობელობაბაზარი. ჩვენი დაპატენტებული პროცესის მეშვეობით, VET Energy-მ შეიმუშავა უნიკალური ტექნოლოგია, რომელიც მნიშვნელოვნად აუმჯობესებს შემაკავშირებელ სიმტკიცეს სილიციუმის კარბიდის საფარსა და სუბსტრატს შორის, ამცირებს დაშლის რისკს და აძლიერებს გრძელვადიან საიმედოობას.