SiC Coating Carrier for RTP/RTA არის ძირითადი კომპონენტი, რომელიც გამოიყენება ნახევარგამტარების წარმოების პროცესებში, სახელწოდებით სწრაფი თერმული დამუშავება და ანილირება. ასევე მაღალი ქიმიური წინააღმდეგობის და თერმული სტაბილურობის თვისებები.
ჩვენი პროდუქციის მახასიათებლები:
1. მაღალი ტემპერატურის ჟანგვის წინააღმდეგობა 1700℃-მდე.
2. მაღალი სისუფთავე და თერმული ერთგვაროვნება
3. შესანიშნავი კოროზიის წინააღმდეგობა: მჟავა, ტუტე, მარილი და ორგანული რეაგენტები.
4. მაღალი სიხისტე, კომპაქტური ზედაპირი, წვრილი ნაწილაკები.
5. ხანგრძლივი მომსახურების ვადა და უფრო გამძლე
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-ის ძირითადი ფიზიკური თვისებებისაფარი | |
| 性质 / საკუთრება | 典型数值 / ტიპიური მნიშვნელობა |
| 晶体结构 / კრისტალური სტრუქტურა | FCC β ფაზა多晶，主要为（111 წელი |
| 密度 / სიმჭიდროვე | 3.21 გ/სმ³ |
| 硬度 / სიხისტე | 2500 × 500 გრ დატვირთვა) |
| 晶粒大小 / მარცვლეულის ზომა | 2 ~ 10 მკმ |
| 纯度 / ქიმიური სისუფთავე | 99.99995% |
| 热容 / სითბოს სიმძლავრე | 640 J· კგ-1· კ-1 |
| 升华温度 / სუბლიმაციის ტემპერატურა | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Flexural Strength | 415 MPa RT 4-პუნქტიანი |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt მოსახვევი, 1300℃ |
| 导热系数 / თერმალგამტარობა | 300 W · მ-1· კ-1 |
| 热膨胀系数 / თერმული გაფართოება (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
VET Energy არის მორგებული გრაფიტისა და სილიციუმის კარბიდის პროდუქტების ნამდვილი მწარმოებელი სხვადასხვა საფარით, როგორიცაა SiC საფარი, TaC საფარი, შუშის ნახშირბადის საფარი, პიროლიტური ნახშირბადის საფარი და ა.შ., შეუძლია მიაწოდოს სხვადასხვა მორგებული ნაწილები ნახევარგამტარული და ფოტოელექტრული ინდუსტრიისთვის.
ჩვენი ტექნიკური გუნდი მოდის საუკეთესო შიდა კვლევითი ინსტიტუტებიდან, შეუძლია მოგაწოდოთ უფრო პროფესიონალური მატერიალური გადაწყვეტილებები თქვენთვის.
ჩვენ განუწყვეტლივ ვავითარებთ მოწინავე პროცესებს უფრო მოწინავე მასალების უზრუნველსაყოფად და შევიმუშავეთ ექსკლუზიური დაპატენტებული ტექნოლოგია, რომელსაც შეუძლია საფარსა და სუბსტრატს შორის კავშირი უფრო მჭიდრო და ნაკლებად მიდრეკილი გახადოს მოწყვეტისკენ.
კეთილი იყოს თქვენი მობრძანება ჩვენს ქარხანაში, მოდით ვისაუბროთ შემდგომში!
