6インチP型シリコンウェーハ

簡単な説明:

VET Energy 6 インチ P 型シリコン ウェーハは、さまざまな電子デバイスの製造に広く使用されている高品質の半導体基材です。 VET Energy は高度な CZ 成長プロセスを使用して、ウェーハの優れた結晶品質、低欠陥密度、高い均一性を保証します。


製品詳細

製品タグ

VET Energy の製品ラインはシリコン ウェーハに限定されません。 SiC基板、SOIウエハ、Si​​N基板、エピウエハ等の半導体基板材料をはじめ、酸化ガリウムGa2O3やAlNウエハ等の新規ワイドバンドギャップ半導体材料も幅広く提供しております。これらの製品は、パワー エレクトロニクス、高周波、センサー、その他の分野におけるさまざまな顧客のアプリケーション ニーズを満たすことができます。

応用分野:
集積回路:P型シリコンウェーハは、集積回路製造の基本材料として、さまざまな論理回路やメモリなどに広く使用されています。
パワーデバイス:P 型シリコン ウェーハは、パワー トランジスタやダイオードなどのパワー デバイスの製造に使用できます。
センサー:P型シリコンウェーハは、圧力センサーや温度センサーなどのさまざまなタイプのセンサーの製造に使用できます。
太陽電池:P 型シリコン ウェーハは太陽電池の重要なコンポーネントです。

VET Energy は、顧客にカスタマイズされたウェーハ ソリューションを提供し、顧客の特定のニーズに応じて、異なる抵抗率、異なる酸素含有量、異なる厚さ、その他の仕様のウェーハをカスタマイズできます。また、生産工程で発生するさまざまな問題を解決するために、専門的な技術サポートとアフターサービスも提供しています。

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ウェーハ仕様

*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁

アイテム

8インチ

6インチ

4インチ

nP

n-午後

n-P

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

弓(GF3YFCD)-絶対値

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

ワープ(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

ウェーハエッジ

面取り

表面仕上げ

*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁

アイテム

8インチ

6インチ

4インチ

nP

n-午後

n-P

SI

SI

表面仕上げ

両面光学研磨、Si-Face CMP

表面粗さ

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C面Ra≤0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C面Ra≤0.5nm

エッジチップ

なし 許可(長さおよび幅≧0.5mm)

インデント

何も許可されていません

キズ(Si-Face)

数量≤5、累積
長さ≦0.5×ウェーハ直径

数量≤5、累積
長さ≦0.5×ウェーハ直径

数量≤5、累積
長さ≦0.5×ウェーハ直径

ひび割れ

何も許可されていません

エッジの除外

3mm

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