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多孔質カーボンの細孔構造の最適化 -Ⅱ
管理者による 24-08-27
製品情報やご相談については、当社の Web サイトへようこそ。当社ウェブサイト: https://www.vet-china.com/ 物理的および化学的活性化法 物理的および化学的活性化法とは、上記の 2 つの活性を組み合わせて多孔質材料を調製する方法を指します。
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多孔質カーボンの細孔構造の最適化-Ⅰ
管理者による 24-08-27
製品情報やご相談については、当社の Web サイトへようこそ。当社のウェブサイト: https://www.vet-china.com/ この論文は、現在の活性炭市場を分析し、活性炭の原材料の詳細な分析を実施し、細孔構造を紹介します。
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半導体プロセスフローⅡ
管理者による 24-08-23
製品情報やご相談については、当社の Web サイトへようこそ。当社ウェブサイト: https://www.vet-china.com/ Poly と SiO2 のエッチング: この後、余分な Poly と SiO2 がエッチングで除去されます。このとき、方向性エッチングを用いる。分類的には・・・
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半導体プロセスの流れ
管理者による 24-08-23
物理や数学を勉強したことがなくても理解できますが、少し単純すぎて初心者向きです。 CMOS についてさらに詳しく知りたい場合は、プロセス フロー (つまり...) を理解した後でのみ、この号の内容を読む必要があります。
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半導体ウェーハの汚染源と洗浄
管理者による 24-08-13
半導体製造にはいくつかの有機および無機物質が必要です。また、半導体ウエハはクリーンルーム内で常に人が介在して作業を行うため、様々な不純物が混入することは避けられません。アコー...
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半導体製造業界における汚染源と予防
管理者による 24-08-13
半導体デバイスの製造には、主にディスクリートデバイス、集積回路、およびそれらのパッケージングプロセスが含まれます。半導体の生産は、製品本体材料の製造、製品ウェハの製造、デバイスの組み立ての3つの段階に分けられます。その中で、...
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なぜ間引きが必要なのでしょうか?
管理者による、2008 年 8 月 24 日
バックエンドプロセス段階では、パッケージの実装高さを低くし、チップのパッケージ体積を減らし、チップの熱を改善するために、その後のダイシング、溶接、パッケージングの前に、ウェーハ(表面に回路のあるシリコンウェーハ)の裏面を薄くする必要があります。拡散...
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高純度SiC単結晶粉末合成プロセス
管理者による、2008 年 8 月 24 日
炭化ケイ素単結晶の成長プロセスにおいては、物理的蒸気輸送が現在主流の工業化方法である。 PVT成長法においては、炭化ケイ素粉末が成長プロセスに大きな影響を与えます。炭化ケイ素粉末のすべてのパラメーター
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なぜウェーハボックスには 25 枚のウェーハが入っているのですか?
管理者によって 24-07-30
現代技術の洗練された世界では、シリコン ウェーハとしても知られるウェーハは、半導体産業の中核コンポーネントです。マイクロプロセッサ、メモリ、センサーなどのさまざまな電子部品を製造するための基礎となるものであり、各ウェハ...
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