VET Energy の単結晶 8 インチ シリコン ウェーハは、半導体および電子デバイス製造のための業界をリードするソリューションです。優れた純度と結晶構造を備えたこれらのウェーハは、太陽光発電産業と半導体産業の両方における高性能アプリケーションに最適です。 VET Energy は、すべてのウェーハが最高の基準を満たすよう細心の注意を払って処理されることを保証し、高度な電子デバイスの製造に不可欠な優れた均一性と滑らかな表面仕上げを提供します。
これらの単結晶 8 インチ シリコン ウェーハは、Si ウェーハ、SiC 基板、SOI ウェーハ、SiN 基板などのさまざまな材料と互換性があり、特にエピウェーハの成長に適しています。優れた熱伝導性と電気的特性により、高効率の製造に信頼できる選択肢となります。さらに、これらのウェーハは、酸化ガリウム Ga2O3 や AlN ウェーハなどの材料とシームレスに連携するように設計されており、パワー エレクトロニクスから RF デバイスまで幅広いアプリケーションを提供します。ウェーハは、大量の自動生産環境用のカセット システムにも完全に適合します。
VET Energy の製品ラインはシリコン ウェーハに限定されません。 SiC基板、SOIウエハ、SiN基板、エピウエハ等の半導体基板材料をはじめ、酸化ガリウムGa2O3やAlNウエハ等の新規ワイドバンドギャップ半導体材料も幅広く提供しております。これらの製品は、パワー エレクトロニクス、高周波、センサー、その他の分野におけるさまざまな顧客のアプリケーション ニーズを満たすことができます。
VET Energy は、顧客にカスタマイズされたウェーハ ソリューションを提供します。お客様の特定のニーズに応じて、抵抗率、酸素含有量、厚さなどの異なるウェーハをカスタマイズできます。また、生産過程で発生するさまざまな問題を解決するために、専門的な技術サポートとアフターサービスも提供しています。
ウェーハ仕様
*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁
アイテム | 8インチ | 6インチ | 4インチ | ||
nP | n-午後 | n-P | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
弓(GF3YFCD)-絶対値 | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
ワープ(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
ウェーハエッジ | 面取り |
表面仕上げ
*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁
アイテム | 8インチ | 6インチ | 4インチ | ||
nP | n-午後 | n-P | SI | SI | |
表面仕上げ | 両面光学研磨、Si-Face CMP | ||||
表面粗さ | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
エッジチップ | なし 許可(長さおよび幅≧0.5mm) | ||||
インデント | 何も許可されていません | ||||
キズ(Si-Face) | 数量≤5、累積 | 数量≤5、累積 | 数量≤5、累積 | ||
ひび割れ | 何も許可されていません | ||||
エッジの除外 | 3mm |