中国メーカー SiC コーティングされたグラファイト MOCVD エピタキシーサセプター

純度 < 5ppm
‣ 良好なドーピング均一性
‣ 高密度・密着性
‣ 優れた耐腐食性と耐炭素性

‣ プロフェッショナルなカスタマイズ
‣ 短いリードタイム
‣ 安定供給
‣ 品質管理と継続的改善

サファイア上でのGaNのエピタキシー(RGB/ミニ/マイクロ LED);
Si基板上のGaNのエピタキシー(UVC);
Si基板上のGaNのエピタキシー(電子機器);
Si基板上のSiのエピタキシー(集積回路);
SiC基板上のSiCのエピタキシー（基板）;
InP 上の InP のエピタキシー

製品詳細

高品質 MOCVD サセプタ中国でオンラインで購入する

ウェーハは、電子デバイスで使用できるようになるまでに、いくつかのステップを通過する必要があります。重要なプロセスの 1 つはシリコンエピタキシーです。このプロセスでは、ウエハーはグラファイトサセプター上に運ばれます。サセプタの特性と品質は、ウェーハのエピタキシャル層の品質に重大な影響を与えます。

エピタキシーや MOCVD などの薄膜堆積フェーズでは、VET は基板または「ウェーハ」をサポートするために使用される超高純度グラファイト機器を供給します。プロセスの中核となるこの装置、MOCVD 用のエピタキシーサセプタまたはサテライトプラットフォームは、まず堆積環境にさらされます。

高温。
高真空。
攻撃的なガス状前駆体の使用。
汚染ゼロ、剥離なし。
洗浄作業中の強酸に対する耐性

VET Energy は、半導体および太陽光発電産業向けにコーティングを施したカスタマイズされたグラファイトおよび炭化ケイ素製品の本物のメーカーです。当社の技術チームは国内トップクラスの研究機関から来ており、より専門的な材料ソリューションを提供できます。

当社は、より高度な材料を提供するために高度なプロセスを開発し続けており、コーティングと基材の間の結合をより強固にし、剥離しにくくすることができる独自の特許技術を開発しました。

当社製品の特徴:

1. 1700℃までの高温耐酸化性。
2. 高純度、均熱性
3. 酸、アルカリ、塩、有機試薬に対する優れた耐食性。
4. 高硬度、緻密な表面、微細な粒子。
5. より長い耐用年数とより耐久性のある

CVD SiC膜の基本物理性能 CVD SiCの基本物性コーティング
性质 / 財産	典型的な数値 / 代表値
結晶構造 / 結晶構造	FCC βフェーズ多結晶、主である（111）取向
密度 / 密度	3.21 g/cm3
硬度 / 硬度	2500维度硬度（500g荷重）
結晶粒大小 / 粒度	2～10μm
度 / 化学純度	99.99995%
熱容 / 熱容量	640J・kg^-1・K^-1
昇华温度 / 昇華温度	2700℃
抗强度 / 曲げ強度	415MPa RT 4点
杨氏模量 / ヤング率	430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
导熱系数 / テルマ私導電率	300W・m^-1・K^-1
熱膨張胀系数 / 熱膨張(CTE)	4.5×10^-6K^-1