חֲדָשׁוֹת

היכרות עם הדור השלישי של מוליכים למחצה GaN וטכנולוגיה אפיטקסיאלית קשורה
על ידי מנהל בתאריך 24-06-25
1. מוליכים למחצה מהדור השלישי טכנולוגיית המוליכים למחצה מהדור הראשון פותחה על בסיס חומרים מוליכים למחצה כמו Si ו-Ge. זהו הבסיס החומרי לפיתוח טרנזיסטורים וטכנולוגיית מעגלים משולבים. חומרי המוליכים למחצה מהדור הראשון הניחו את ה...
קרא עוד
מחקר סימולציה מספרית על ההשפעה של גרפיט נקבובי על צמיחת גבישי סיליקון קרביד
על ידי מנהל בתאריך 24-06-18
התהליך הבסיסי של צמיחת גבישי SiC מחולק לסובלימציה ופירוק של חומרי גלם בטמפרטורה גבוהה, הובלה של חומרים בשלב גז תחת פעולת שיפוע טמפרטורה, וצמיחת מחדש של חומרי פאזת גז בגביש הזרע. על סמך זה, ה...
קרא עוד
סוגי גרפיט מיוחד
על ידי מנהל בתאריך 24-06-17
גרפיט מיוחד הוא חומר גרפיט בטוהר גבוה, בצפיפות גבוהה ובחוזק גבוה ובעל עמידות מצוינת בפני קורוזיה, יציבות בטמפרטורה גבוהה ומוליכות חשמלית רבה. הוא עשוי מגרפיט טבעי או מלאכותי לאחר טיפול בחום בטמפרטורה גבוהה ועיבוד בלחץ גבוה...
קרא עוד
ניתוח של ציוד שקיעה של סרט דק - העקרונות והיישומים של ציוד PECVD/LPCVD/ALD
על ידי מנהל בתאריך 24-06-12
השקת סרט דק היא ציפוי שכבת סרט על חומר המצע העיקרי של המוליך למחצה. סרט זה יכול להיות עשוי מחומרים שונים, כגון סיליקון דו חמצני תרכובת בידודית, סיליקון מוליכים למחצה, נחושת מתכת וכו'. הציוד המשמש לציפוי נקרא שכבת סרט דק...
קרא עוד
חומרים חשובים הקובעים את איכות צמיחת הסיליקון החד גבישי - שדה תרמי
על ידי מנהל בתאריך 24-06-12
תהליך הצמיחה של סיליקון חד-גבישי מתבצע לחלוטין בשדה התרמי. שדה תרמי טוב תורם לשיפור איכות הגבישים ויש לו יעילות התגבשות גבוהה יותר. עיצוב השדה התרמי קובע במידה רבה את השינויים בשיפוע הטמפרטורה...
קרא עוד
מהם הקשיים הטכניים של תנור צמיחת גבישי סיליקון קרביד?
על ידי מנהל בתאריך 24-06-07
תנור צמיחת הגבישים הוא ציוד הליבה לצמיחת גבישי סיליקון קרביד. זה דומה לתנור הגידול הגבישי המסורתי בדרגת סיליקון גבישי. מבנה התנור אינו מסובך במיוחד. הוא מורכב בעיקר מגוף תנור, מערכת חימום, מנגנון העברת סליל...
קרא עוד
מה הם הפגמים של שכבת אפיטקסיאלית סיליקון קרביד
על ידי מנהל בתאריך 24-06-05
טכנולוגיית הליבה לצמיחת חומרים אפיטקסיאליים SiC היא ראשית טכנולוגיית בקרת פגמים, במיוחד עבור טכנולוגיית בקרת פגמים המועדת לכשל בהתקן או לפגיעה באמינות. חקר המנגנון של פגמי המצע המתפשטים לתוך האפי...
קרא עוד
תבואה עומדת מחומצנת וטכנולוגיית גידול אפיטקסיאלית-Ⅱ
על ידי מנהל בתאריך 24-05-30
3. צמיחת סרט דק אפיטקסיאלי המצע מספק שכבת תמיכה פיזית או שכבה מוליכה עבור התקני כוח Ga2O3. השכבה החשובה הבאה היא שכבת התעלה או השכבה האפיטקסיאלית המשמשת להתנגדות מתח והובלת נושא. על מנת להגביר את מתח התפרקות ולמזער את ההולכה...
קרא עוד
גליום אוקסיד חד גביש וטכנולוגיית גידול אפיטקסיאלית
על ידי מנהל בתאריך 24-05-30
מוליכים למחצה Wide bandgap (WBG) המיוצגים על ידי סיליקון קרביד (SiC) וגליום ניטריד (GaN) זכו לתשומת לב רחבה. לאנשים יש ציפיות גבוהות לגבי סיכויי היישום של סיליקון קרביד בכלי רכב חשמליים ורשתות חשמל, כמו גם סיכויי היישום של גליום...
קרא עוד