חֲדָשׁוֹת

מדוע הדפנות מתכופפות במהלך תחריט יבש?
על ידי מנהל בתאריך 24-12-03
חוסר אחידות של הפצצת יונים תחריט יבש הוא בדרך כלל תהליך המשלב השפעות פיזיקליות וכימיות, שבו הפצצת יונים היא שיטת תחריט פיזיקלית חשובה. במהלך תהליך התחריט, זווית ההתרחשות וחלוקת האנרגיה של יונים עשויים להיות לא אחידים. אם היון ייפול...
קרא עוד
מבוא לשלוש טכנולוגיות CVD נפוצות
על ידי מנהל בתאריך 24-12-03
שקיעת אדים כימית (CVD) היא הטכנולוגיה הנפוצה ביותר בתעשיית המוליכים למחצה להפקדת מגוון חומרים, כולל מגוון רחב של חומרי בידוד, רוב חומרי המתכת וחומרי סגסוגת מתכת. CVD היא טכנולוגיה מסורתית להכנת סרט דק. הנסיך שלו...
קרא עוד
האם יהלום יכול להחליף התקני מוליכים למחצה בעלי הספק גבוה אחרים?
על ידי מנהל בתאריך 24-11-25
כאבן הפינה של מכשירים אלקטרוניים מודרניים, חומרים מוליכים למחצה עוברים שינויים חסרי תקדים. כיום, יהלום מראה בהדרגה את הפוטנציאל הגדול שלו כחומר מוליכים למחצה מהדור הרביעי עם תכונות החשמל והתרמיות המצוינות שלו ויציבותו תחת תקיפות קיצוניות...
קרא עוד
מהו מנגנון הפלאנריזציה של CMP?
על ידי מנהל בתאריך 24-11-25
Dual-Damascene היא טכנולוגיית תהליך המשמשת לייצור חיבורי מתכת במעגלים משולבים. זהו התפתחות נוספת של תהליך דמשק. על ידי יצירת חורים וחריצים באותו זמן באותו שלב תהליך ומילוים במתכת, הייצור המשולב של מ...
קרא עוד
גרפיט עם ציפוי TaC
על ידי מנהל בתאריך 24-11-21
I. חקירת פרמטרים של תהליך 1. מערכת TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. טמפרטורת השקיעה: לפי הנוסחה התרמודינמית, מחושב שכאשר הטמפרטורה גבוהה מ-1273K, האנרגיה החופשית של התגובה של Gibbs נמוכה מאוד וה- התגובה מלאה יחסית. המציאות...
קרא עוד
תהליך צמיחת גבישי סיליקון קרביד וטכנולוגיית ציוד
על ידי מנהל בתאריך 24-11-21
1. תוואי טכנולוגיית צמיחת גביש SiC PVT (שיטת סובלימציה), HTCVD (CVD בטמפרטורה גבוהה), LPE (שיטת שלב נוזלי) הן שלוש שיטות גידול גבישי SiC נפוצות; השיטה המוכרת ביותר בתעשייה היא שיטת PVT, ויותר מ-95% מגבישי SiC בודדים גדלים על ידי PVT ...
קרא עוד
הכנה ושיפור ביצועים של חומרים מרוכבים סיליקון פחמן נקבובי
על ידי מנהל בתאריך 24-11-13
סוללות ליתיום-יון מתפתחות בעיקר בכיוון של צפיפות אנרגיה גבוהה. בטמפרטורת החדר, חומרי אלקטרודה שליליים על בסיס סיליקון מסתגגים עם ליתיום לייצור מוצר עשיר בליתיום Li3.75Si פאזה, עם קיבולת ספציפית של עד 3572 mAh/g, שהיא הרבה יותר גבוהה מהתיאוריה...
קרא עוד
חמצון תרמי של סיליקון קריסטל יחיד
על ידי מנהל בתאריך 24-11-13
היווצרות של דו תחמוצת הסיליקון על פני השטח של הסיליקון נקראת חמצון, ויצירתו של דו תחמוצת הסיליקון יציב ונצמד חזק הובילה ללידתה של טכנולוגיה מישורית של סיליקון משולבת. למרות שישנן דרכים רבות לגדל סיליקון דו חמצני ישירות על פני השטח של סיליקו...
קרא עוד
עיבוד UV לאריזה ברמת רקיק מאוורר
על ידי מנהל בתאריך 24-11-05
אריזה ברמת רקיק מאוורר (FOWLP) היא שיטה חסכונית בתעשיית המוליכים למחצה. אבל תופעות הלוואי האופייניות של תהליך זה הן עיוות וקיזוז שבבים. למרות השיפור המתמשך של רמת הפרוסים וטכנולוגיית המניפה של רמת הפאנל, בעיות אלו הקשורות לדפוס עדיין קיימות...
קרא עוד