Disco suscettore wafer rivestito in carburo di silicio

Breve descrizione:

Il disco suscettore wafer rivestito in carburo di silicio VET Energy è un prodotto ad alte prestazioni progettato per fornire prestazioni costanti e affidabili per un periodo prolungato. Ha un'ottima resistenza al calore e uniformità termica, elevata purezza e resistenza all'erosione, che lo rendono la soluzione perfetta per le applicazioni di lavorazione dei wafer.

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Il disco wafer in carburo di silicio è un componente chiave utilizzato in vari processi di produzione di semiconduttori. Utilizziamo la nostra tecnologia brevettata per rendere il disco in carburo di silicio più sicuro con una purezza estremamente elevata, una buona uniformità del rivestimento e un'eccellente durata, nonché elevate proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.

VET Energy è il vero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con diversi rivestimenti come SiC, TaC, carbonio pirolitico, carbonio vetroso, ecc., può fornire varie parti personalizzate per l'industria dei semiconduttori e fotovoltaica. Il nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali e può fornirti soluzioni materiali più professionali.

Sviluppiamo continuamente processi avanzati per fornire materiali sempre più avanzati e abbiamo elaborato un'esclusiva tecnologia brevettata, che può rendere il legame tra il rivestimento e il substrato più stretto e meno incline al distacco.

Fcaratteristiche dei nostri prodotti:

1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura fino a 1700℃.
2. Elevata purezza euniformità termica
3. Eccellente resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
4. Elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.
5. Maggiore durata e maggiore durata

CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche fondamentali del SiC CVDrivestimento
性质 / Proprietà	典型数值 /Valore tipico
晶体结构 / Struttura cristallina	Fase β dell'FCC多晶,主要为（111）取向
密度 / Densità	3,21 g/cm³
硬度 / Durezza	2500 tonnellate di carico (carico da 500 g)
晶粒大小 / Granulometria	2~10μm
纯度 / Purezza chimica	99,99995%
热容 / Capacità termica	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 /Temperatura di sublimazione	2700 ℃
抗弯强度 / Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
杨氏模量 / Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
导热系数 /TermelConduttività	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE)	4,5×10^-6K^-1