Supporti wafer MOCVD in grafite con rivestimento SiC, suscettori in grafite per epitassia SiC,
Suscettori per forniture di carbonio, suscettori di grafite, vassoi di grafite, epitassia SiC, suscettori wafer,
Il rivestimento CVD-SiC ha le caratteristiche di struttura uniforme, materiale compatto, resistenza alle alte temperature, resistenza all'ossidazione, elevata purezza, resistenza agli acidi e agli alcali e reagenti organici, con proprietà fisiche e chimiche stabili.
Rispetto ai materiali in grafite ad elevata purezza, la grafite inizia a ossidarsi a 400°C, causando una perdita di polvere dovuta all'ossidazione, con conseguente inquinamento ambientale dei dispositivi periferici e delle camere a vuoto e aumento delle impurità dell'ambiente ad elevata purezza.
Tuttavia, il rivestimento SiC può mantenere la stabilità fisica e chimica a 1600 gradi. È ampiamente utilizzato nell'industria moderna, in particolare nell'industria dei semiconduttori.
La nostra azienda fornisce servizi di processo di rivestimento SiC con metodo CVD sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio reagiscano ad alta temperatura per ottenere molecole SiC di elevata purezza, molecole depositate sulla superficie dei materiali rivestiti, formando lo strato protettivo SIC.Il SIC formato è saldamente legato alla base di grafite, conferendo alla base di grafite proprietà speciali, rendendo così la superficie della grafite compatta, priva di porosità, resistente alle alte temperature, alla corrosione e all'ossidazione.
Applicazione:
Caratteristiche principali:
1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:
la resistenza all'ossidazione è ancora molto buona anche quando la temperatura arriva fino a 1700 C.
2. Elevata purezza: prodotto mediante deposizione di vapori chimici in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
3. Resistenza all'erosione: elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.
4. Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
Specifiche principali dei rivestimenti CVD-SIC:
SiC-CVD | ||
Densità | (g/cc)
| 3.21 |
Resistenza alla flessione | (MPa)
| 470 |
Dilatazione termica | (10-6/K) | 4
|
Conduttività termica | (W/mK) | 300 |
Capacità di fornitura:
10000 pezzo/pezzi al mese
Imballaggio e consegna:
Imballaggio: imballaggio standard e robusto
Poli sacchetto + scatola + cartone + pallet
Porta:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Tempi di consegna:
Quantità (pezzi) | 1 – 1000 | >1000 |
Est.Tempo (giorni) | 15 | Da negoziare |