Buona reputazione utente per la polvere di grafite artificiale a prezzo all'ingrosso

Breve descrizione:

Il rivestimento SiC del substrato di grafite per applicazioni a semiconduttore produce una parte con purezza e resistenza superiori all'atmosfera ossidante. CVD SiC o CVI SiC viene applicato alla grafite di parti dal design semplice o complesso. Il rivestimento può essere applicato in vari spessori e su parti molto grandi.


  • Luogo di origine:Zhejiang, Cina (continente)
  • Numero di modello:Numero di modello:
  • Composizione chimica:Grafite rivestita in SiC
  • Resistenza alla flessione:470 MPa
  • Conduttività termica:300 W/mK
  • Qualità:Perfetto
  • Funzione:CVD-SiC
  • Applicazione:Semiconduttori/Fotovoltaico
  • Densità:3,21 g/cc
  • Dilatazione termica:4 10-6/K
  • Cenere: <5 ppm
  • Campione:Disponibile
  • Codice SA:6903100000
  • Dettagli del prodotto

    Tag dei prodotti

    La nostra attività mira a operare fedelmente, servire tutti i nostri acquirenti e lavorare continuamente con nuove tecnologie e nuove macchine per una buona reputazione degli utenti per la polvere di grafite artificiale a prezzo all'ingrosso, benvenuti a sviluppare rapporti commerciali efficaci ed estesi con la nostra azienda per produrre un glorioso lungo periodo insieme. la soddisfazione dei clienti è la nostra ricerca eterna!
    La nostra attività mira a operare fedelmente, servire tutti i nostri acquirenti e lavorare continuamente con nuove tecnologie e nuove macchineCina Polvere di grafite artificiale e polvere di grafite 5 micronPossiamo offrire ai nostri clienti vantaggi assoluti in termini di qualità del prodotto e controllo dei costi e ora disponiamo di una gamma completa di stampi fino a un centinaio di fabbriche. Grazie al rapido aggiornamento dei prodotti, riusciamo a sviluppare molti prodotti di alta qualità per i nostri clienti e ad ottenere un'ottima reputazione.

    Descrizione del prodotto

    I vantaggi speciali dei nostri suscettori in grafite rivestiti in SiC includono purezza estremamente elevata, rivestimento omogeneo e un'eccellente durata. Hanno anche elevate proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.

    Il rivestimento SiC del substrato di grafite per applicazioni a semiconduttore produce una parte con purezza e resistenza superiori all'atmosfera ossidante.
    CVD SiC o CVI SiC viene applicato alla grafite di parti dal design semplice o complesso. Il rivestimento può essere applicato in vari spessori e su parti molto grandi.

    Suscettore MOCVD con rivestimento SiC/rivestito

    Caratteristiche:
    · Eccellente resistenza agli shock termici
    · Eccellente resistenza agli shock fisici
    · Eccellente resistenza chimica
    · Purezza estremamente elevata
    · Disponibilità in forma complessa
    · Utilizzabile in atmosfera ossidante

    Applicazione:

    2

     

    Proprietà tipiche del materiale di base in grafite:

    Densità apparente: 1,85 g/cm3
    Resistività elettrica: 11μΩm
    Resistenza alla flessione: 49 MPa (500 kgf/cm2)
    Durezza Shore: 58
    Cenere: <5 ppm
    Conducibilità termica: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    Il carbonio fornisce suscettori e componenti di grafite per tutti gli attuali reattori epitassia. Il nostro portafoglio comprende suscettori a cilindro per unità applicate e LPE, suscettori pancake per unità LPE, CSD e Gemini e suscettori a wafer singolo per unità applicate e ASM. Combinando forti partnership con OEM leader, esperienza nei materiali e know-how di produzione, SGL offre il design ottimale per la vostra applicazione.

     

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