SiC húðaður grafít hálfmáni hlutiis a lykillíhlutur sem notaður er í hálfleiðara framleiðsluferlum, sérstaklega fyrir SiC epitaxial búnað.Við notum einkaleyfisverndaða tækni okkar til að búa til hálfmánann meðmjög hár hreinleiki,gotthúðuneinsleitniog framúrskarandi endingartíma, sem oghár efnaþol og hitastöðugleikaeiginleikar.
VET Energy er theraunverulegur framleiðandi sérsniðinna grafít- og kísilkarbíðvara með CVD húðun,getur útvegaðýmislegtsérsniðnir hlutar fyrir hálfleiðara og ljósvakaiðnað. OTækniteymið þitt kemur frá efstu innlendum rannsóknarstofnunum, getur veitt faglegri efnislausnirfyrir þig.
Við þróum stöðugt háþróaða ferla til að veita fullkomnari efni,oghafa þróað einkaleyfisbundna tækni sem getur gert tengingu milli húðunar og undirlags þéttari og minna tilhneigingu til að losna.
Feiginleikar vara okkar:
1. Oxunarþol við háan hita allt að 1700℃.
2. Hár hreinleiki oghitauppstreymi einsleitni
3. Framúrskarandi tæringarþol: sýra, basa, salt og lífræn hvarfefni.
4. Hár hörku, samningur yfirborð, fínar agnir.
5. Lengri endingartími og endingargóðari
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundvallar eðliseiginleikar CVD SiChúðun | |
| 性质 / Eign | 典型数值 / Dæmigert gildi |
| 晶体结构 / Kristallsbygging | FCC β fasi多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Þéttleiki | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / hörku | 2500 维氏硬度（500g álag） |
| 晶粒大小 / Kornastærð | 2~10μm |
| 纯度 / Chemical Purity | 99,99995% |
| 热容 / Hitageta | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimation Hitastig | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Beygjustyrkur | 415 MPa RT 4 punkta |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt beygja, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalLeiðni | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Hitastækkun (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Verið hjartanlega velkomin að heimsækja verksmiðjuna okkar, við skulum hafa frekari umræður!
