4 tommu GaAs Waferinn frá VET Energy er ómissandi efni fyrir háhraða- og sjóntækjabúnað, þar á meðal RF magnara, LED og sólarsellur. Þessar skífur eru þekktar fyrir mikla rafeindahreyfanleika og getu til að starfa á hærri tíðni, sem gerir þær að lykilþáttum í háþróaðri hálfleiðaranotkun. VET Energy tryggir hágæða GaAs oblátur með einsleitri þykkt og lágmarksgöllum, hentugur fyrir margs konar krefjandi framleiðsluferla.
Þessar 4 tommu GaAs diskar eru samhæfðar við ýmis hálfleiðara efni eins og Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer og SiN Substrate, sem gerir þær fjölhæfar til að sameinast í mismunandi tækjaarkitektúr. Hvort sem þau eru notuð til framleiðslu á Epi Wafer eða ásamt nýjustu efnum eins og Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer, þá bjóða þau upp á áreiðanlegan grunn fyrir næstu kynslóð rafeindatækni. Að auki eru obláturnar fullkomlega samhæfðar við meðhöndlunarkerfi sem byggir á snældu, sem tryggir hnökralausa starfsemi bæði í rannsóknum og framleiðsluumhverfi í miklu magni.
VET Energy býður upp á alhliða safn af hálfleiðara hvarfefni, þar á meðal Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, og AlN Wafer. Fjölbreytt vörulína okkar kemur til móts við þarfir ýmissa rafeindabúnaðar, allt frá rafeindatækni til RF og ljóseindatækni.
VET Energy býður upp á sérhannaðar GaAs oblátur til að uppfylla sérstakar kröfur þínar, þar á meðal mismunandi lyfjagildi, stefnur og yfirborðsáferð. Sérfræðingateymi okkar veitir tæknilega aðstoð og þjónustu eftir sölu til að tryggja árangur þinn.
LEIÐBEININGAR VÖFLU
*n-Pm=n-gerð Pm-Grade,n-Ps=n-gerð Ps-Grade,Sl=Hálfeinangrandi
Atriði | 8 tommu | 6 tommu | 4-tommu | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Algert gildi | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Beveling |
FLUTNINGUR
*n-Pm=n-gerð Pm-Grade,n-Ps=n-gerð Ps-Grade,Sl=Hálfeinangrandi
Atriði | 8 tommu | 6 tommu | 4-tommu | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Yfirborðsfrágangur | Tvíhliða Optical Polish, Si- Face CMP | ||||
Yfirborðsgrófleiki | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Ekkert leyfilegt (lengd og breidd ≥0,5 mm) | ||||
Inndráttur | Ekkert leyfilegt | ||||
Rispur (Si-Face) | Magn.≤5, Uppsafnað | Magn.≤5, Uppsafnað | Magn.≤5, Uppsafnað | ||
Sprungur | Ekkert leyfilegt | ||||
Edge útilokun | 3 mm |