Wafer SiC Tipe N 6 Inci

Deskripsi Singkat:

Wafer SiC Tipe N 6 Inci dari VET Energy adalah substrat berkinerja tinggi yang dirancang untuk aplikasi semikonduktor tingkat lanjut, menawarkan konduktivitas termal dan efisiensi daya yang unggul. VET Energy menggunakan teknologi mutakhir untuk menghasilkan wafer berkualitas tinggi yang memenuhi tuntutan ketat elektronik modern, memastikan keandalan dan daya tahan perangkat listrik.

Kirim email ke kami Unduh sebagai PDF

Detil Produk

Label Produk

Wafer SiC Tipe N 6 Inci ini dirancang untuk meningkatkan kinerja dalam kondisi ekstrem, menjadikannya pilihan ideal untuk aplikasi yang memerlukan daya tinggi dan ketahanan suhu. Produk utama yang terkait dengan wafer ini meliputi Si Wafer, Substrat SiC, Wafer SOI, dan Substrat SiN. Bahan-bahan ini memastikan kinerja optimal dalam berbagai proses manufaktur semikonduktor, memungkinkan perangkat hemat energi dan tahan lama.

Untuk perusahaan yang bekerja dengan Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette, atau AlN Wafer, Wafer SiC Tipe N 6 Inci dari VET Energy memberikan landasan yang diperlukan untuk pengembangan produk yang inovatif. Baik pada elektronik berdaya tinggi atau teknologi RF terkini, wafer ini memastikan konduktivitas yang sangat baik dan ketahanan termal yang minimal, mendorong batas-batas efisiensi dan kinerja.

SPESIFIKASI WAFERING

*n-Pm=Tipe-n Pm-Grade,n-Ps=n-tipe Ps-Grade,Sl=Semi-isolasi

Barang	8 inci	6 inci			4 inci
Barang	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TV(GBIR)	≤6um	≤6um
Busur (GF3YFCD) -Nilai Absolut	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Tepi Wafer	miring

PERMUKAAN SELESAI

*n-Pm=Tipe-n Pm-Grade,n-Ps=n-tipe Ps-Grade,Sl=Semi-isolasi

Barang	8 inci	6 inci			4 inci
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Permukaan Selesai	Poles Optik sisi ganda, CMP Si-Wajah
Kekasaran Permukaan	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Wajah Ra≤ 0,5nm			(5umx5um) Si-Wajah Ra≤0.2nm C-Wajah Ra≤0.5nm
Keripik Tepi	Tidak Ada yang Diizinkan (panjang dan lebar≥0,5 mm)
Indentasi	Tidak Ada yang Diizinkan
Goresan (Si-Wajah)	Jumlah.≤5, Kumulatif Panjang≤0,5×diameter wafer	Jumlah.≤5, Kumulatif Panjang≤0,5×diameter wafer			Jumlah.≤5, Kumulatif Panjang≤0,5×diameter wafer
Retak	Tidak Ada yang Diizinkan
Pengecualian Tepi	3mm