Pembawa Pelapis SiC Untuk RTP/RTA adalah komponen kunci yang digunakan dalam proses manufaktur semikonduktor yang disebut Pemrosesan & Annealing Termal Cepat, kami menggunakan teknologi yang kami patenkan untuk membuat pembawa silikon karbida dengan kemurnian sangat tinggi, keseragaman lapisan yang baik, dan masa pakai yang sangat baik, seperti serta sifat ketahanan kimia dan stabilitas termal yang tinggi.
Fitur produk kami:
1. Ketahanan oksidasi suhu tinggi hingga 1700 ℃.
2. Kemurnian tinggi dan keseragaman termal
3. Ketahanan korosi yang sangat baik: asam, alkali, garam dan reagen organik.
4. Kekerasan tinggi, permukaan kompak, partikel halus.
5. Umur pemakaian lebih lama dan lebih tahan lama
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Sifat fisik dasar CVD SiClapisan | |
| 性质 / Properti | 典型数值 / Nilai Khas |
| 晶体结构 / Struktur Kristal | Fase FCC β多晶,主要为（111）取向 |
| 密度 / Kepadatan | 3,21 gram/cm³ |
| 硬度 / Kekerasan | 2500 维氏硬度（beban 500g） |
| 晶粒大小 / Ukuran Butir | 2~10μm |
| 纯度 / Kemurnian Kimia | 99,99995% |
| 热容 / Kapasitas Panas | 640J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Suhu Sublimasi | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Kekuatan Lentur | 415 MPa RT 4 titik |
| 杨氏模量 / Modulus Muda | tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / TermalakuDaya konduksi | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Ekspansi Termal (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
VET Energy adalah produsen nyata produk grafit dan silikon karbida khusus dengan lapisan berbeda seperti lapisan SiC, lapisan TaC, lapisan karbon kaca, lapisan karbon pirolitik, dll., dapat memasok berbagai suku cadang khusus untuk industri semikonduktor dan fotovoltaik.
Tim teknis kami berasal dari lembaga penelitian domestik terkemuka, dapat memberikan solusi material yang lebih profesional untuk Anda.
Kami terus mengembangkan proses canggih untuk menyediakan material yang lebih canggih, dan telah mengembangkan teknologi eksklusif yang dipatenkan, yang dapat membuat ikatan antara lapisan dan substrat menjadi lebih erat dan tidak mudah terkelupas.
Sangat menyambut Anda untuk mengunjungi pabrik kami, mari berdiskusi lebih lanjut!
