Նորություններ

Սիլիցիումի կարբիդային կերամիկայի կիրառումը կիսահաղորդչային ոլորտում
ադմինի կողմից 24-10-10-ին
Ֆոտոլիտոգրաֆիայի մեքենաների ճշգրիտ մասերի համար նախընտրելի նյութը Կիսահաղորդչային ոլորտում սիլիցիումի կարբիդային կերամիկական նյութերը հիմնականում օգտագործվում են ինտեգրալ սխեմաների արտադրության հիմնական սարքավորումներում, ինչպիսիք են սիլիցիումի կարբիդի աշխատասեղանը, ուղեցույցի ռելսերը, ռեֆլեկտորները, կերամիկական ներծծող ճարմանդը, թեւերը,...
Կարդալ ավելին
0 Որոնք են մեկ բյուրեղյա վառարանի վեց համակարգերը
ադմինի կողմից 24-09-23
Մեկ բյուրեղյա վառարանը սարք է, որն օգտագործում է գրաֆիտային ջեռուցիչ՝ իներտ գազի (արգոն) միջավայրում պոլիբյուրեղային սիլիցիումի նյութերը հալեցնելու համար և օգտագործում է Չոխրալսկու մեթոդը՝ չտեղահանված միաբյուրեղներ աճեցնելու համար: Այն հիմնականում կազմված է հետևյալ համակարգերից՝ Մեխանիկական...
Կարդալ ավելին
Ինչու է մեզ անհրաժեշտ գրաֆիտը մեկ բյուրեղյա վառարանի ջերմային դաշտում
ադմինի կողմից 24-09-23
Ուղղահայաց միաբյուրեղային վառարանի ջերմային համակարգը կոչվում է նաև ջերմային դաշտ: Գրաֆիտի ջերմային դաշտի համակարգի գործառույթը վերաբերում է սիլիցիումի նյութերը հալեցնելու և մեկ բյուրեղների աճը որոշակի ջերմաստիճանում պահելու ամբողջ համակարգին: Պարզ ասած, դա ամբողջական պատկերացում է...
Կարդալ ավելին
Էլեկտրական կիսահաղորդչային վաֆլի կտրման գործընթացների մի քանի տեսակներ
ադմինի կողմից 24-09-20
Վաֆլի կտրումը էլեկտրական կիսահաղորդիչների արտադրության կարևոր օղակներից մեկն է: Այս քայլը նախատեսված է անհատական ինտեգրալ սխեմաները կամ չիպերը կիսահաղորդչային վաֆլիներից ճշգրիտ առանձնացնելու համար: Վաֆլի կտրման բանալին այն է, որ կարողանանք առանձնացնել առանձին չիպսեր՝ միաժամանակ ապահովելով, որ նուրբ կառուցվածքը...
Կարդալ ավելին
BCD գործընթաց
ադմինի կողմից 24-09-18-ին
Ի՞նչ է BCD գործընթացը: BCD գործընթացը մեկ չիպով ինտեգրված գործընթացի տեխնոլոգիա է, որն առաջին անգամ ներդրվել է ST-ի կողմից 1986 թվականին: Այս տեխնոլոգիան կարող է նույն չիպի վրա ստեղծել երկբևեռ, CMOS և DMOS սարքեր: Դրա տեսքը մեծապես նվազեցնում է չիպի տարածքը: Կարելի է ասել, որ BCD գործընթացը լիովին օգտագործում է...
Կարդալ ավելին
BJT, CMOS, DMOS և կիսահաղորդչային գործընթացների այլ տեխնոլոգիաներ
ադմինի կողմից 24-09-10-ին
Բարի գալուստ մեր կայք՝ ապրանքի վերաբերյալ տեղեկատվության և խորհրդատվության համար: Մեր կայքը՝ https://www.vet-china.com/ Քանի որ կիսահաղորդիչների արտադրության գործընթացները շարունակում են բեկումնային լինել, արդյունաբերության մեջ շրջանառվում է հայտնի հայտարարություն, որը կոչվում է «Մուրի օրենքը»: Դա պ...
Կարդալ ավելին
Կիսահաղորդիչների ձևավորման գործընթացի հոսքի փորագրում
ադմինի կողմից 24-09-10-ին
Վաղ թաց փորագրումը նպաստեց մաքրման կամ մոխրի գործընթացների զարգացմանը: Այսօր պլազմայի միջոցով չոր փորագրումը դարձել է հիմնական փորագրման գործընթացը: Պլազման բաղկացած է էլեկտրոններից, կատիոններից և ռադիկալներից։ Պլազմայի վրա կիրառվող էներգիան առաջացնում է t...
Կարդալ ավելին
Հետազոտություն 8 դյույմանոց SiC էպիտաքսիալ վառարանի և հոմոէպիտաքսիալ գործընթացի վերաբերյալ-Ⅱ
ադմինի կողմից 24-09-04
2 Փորձարարական արդյունքներ և քննարկում 2.1 Էպիտաքսիալ շերտի հաստությունը և միատեսակությունը Էպիտաքսիալ շերտի հաստությունը, դոպինգի կոնցենտրացիան և միատեսակությունը էպիտաքսիալ վաֆլիների որակը գնահատելու հիմնական ցուցիչներից են: Ճշգրիտ կառավարելի հաստությունը, դոպինգային կո...
Կարդալ ավելին
Հետազոտություն 8 դյույմանոց SiC էպիտաքսիալ վառարանի և հոմոէպիտաքսիալ գործընթացի վերաբերյալ-Ⅰ
ադմինի կողմից 24-09-04
Ներկայումս SiC արդյունաբերությունը փոխակերպվում է 150 մմ-ից (6 դյույմ) մինչև 200 մմ (8 դյույմ): Արդյունաբերության մեջ մեծ չափի, բարձրորակ SiC հոմոէպիտաքսիալ վաֆլիների հրատապ պահանջարկը բավարարելու համար, 150 մմ և 200 մմ 4H-SiC հոմոէպիտաքսիալ վաֆլիներ հաջողությամբ պատրաստվել են դո...
Կարդալ ավելին