Սիլիցիումի կարբիդՍիլիցիում և ածխածին պարունակող կոշտ միացություն է և բնության մեջ հանդիպում է որպես չափազանց հազվագյուտ հանքային մոյսանիտ: Սիլիցիումի կարբիդի մասնիկները կարող են կապվել միմյանց հետ սինթրման միջոցով՝ ձևավորելով շատ կոշտ կերամիկա, որը լայնորեն օգտագործվում է բարձր դիմացկունություն պահանջող կիրառություններում, հատկապես կիսահաղորդչային գործընթացում:
SiC-ի ֆիզիկական կառուցվածքը
Ի՞նչ է SiC ծածկույթը:
SiC ծածկույթը խիտ, մաշվածության դիմացկուն սիլիցիումի կարբիդային ծածկույթ է՝ բարձր կոռոզիայից և ջերմակայունությամբ և գերազանց ջերմահաղորդականությամբ: Այս բարձր մաքրության SiC ծածկույթը հիմնականում օգտագործվում է կիսահաղորդչային և էլեկտրոնիկայի արդյունաբերության մեջ՝ պաշտպանելու վաֆլի կրիչները, հիմքերը և ջեռուցման տարրերը քայքայիչ և ռեակտիվ միջավայրից: SiC ծածկույթը հարմար է նաև վակուումային վառարանների և նմուշների տաքացման համար բարձր վակուումային, ռեակտիվ և թթվածնային միջավայրերում:
Բարձր մաքրության SiC ծածկույթի մակերես
Ո՞րն է SiC ծածկույթի գործընթացը:
Սիլիցիումի կարբիդի բարակ շերտը դրվում է ենթաշերտի մակերեսին, օգտագործելովCVD (Քիմիական գոլորշիների նստեցում). Սովորաբար նստեցումը կատարվում է 1200-1300°C ջերմաստիճանում, և նյութի ջերմային ընդարձակման պահվածքը պետք է համապատասխանի SiC ծածկույթին՝ նվազագույնի հասցնելու ջերմային սթրեսը:
CVD SIC ծածկույթ ՖԻԼՄ Բյուրեղային ԿԱՌՈՒՑՎԱԾՔ
SiC ծածկույթի ֆիզիկական հատկությունները հիմնականում արտացոլվում են բարձր ջերմաստիճանի դիմադրության, կարծրության, կոռոզիոն դիմադրության և ջերմային հաղորդունակության մեջ:
Տիպիկ ֆիզիկական պարամետրերը սովորաբար հետևյալն են.
ԿարծրությունSiC ծածկույթը սովորաբար ունի Vickers կարծրություն 2000-2500 HV միջակայքում, ինչը նրանց տալիս է չափազանց բարձր մաշվածության և ազդեցության դիմադրություն արդյունաբերական կիրառություններում:
ԽտությունSiC ծածկույթները սովորաբար ունեն 3,1-3,2 գ/սմ³ խտություն: Բարձր խտությունը նպաստում է ծածկույթի մեխանիկական ամրությանը և ամրությանը:
Ջերմային հաղորդունակությունSiC ծածկույթներն ունեն բարձր ջերմային հաղորդունակություն, սովորաբար 120-200 W/mK միջակայքում (20°C-ում): Սա լավ ջերմային հաղորդունակություն է տալիս բարձր ջերմաստիճանի միջավայրերում և այն հատկապես հարմար է դարձնում կիսահաղորդչային արդյունաբերության ջերմամշակման սարքավորումների համար:
Հալման կետՍիլիցիումի կարբիդը ունի հալման կետ մոտավորապես 2730°C և ունի գերազանց ջերմային կայունություն ծայրահեղ ջերմաստիճաններում:
Ջերմային ընդլայնման գործակիցըSiC ծածկույթներն ունեն ջերմային ընդլայնման ցածր գծային գործակից (CTE), սովորաբար 4,0-4,5 մկմ/մԿ (25-1000℃-ի սահմաններում): Սա նշանակում է, որ դրա ծավալային կայունությունը գերազանց է ջերմաստիճանի մեծ տարբերությունների նկատմամբ:
Կոռոզիոն դիմադրությունSiC ծածկույթները չափազանց դիմացկուն են կոռոզիայից ուժեղ թթվային, ալկալային և օքսիդացնող միջավայրերում, հատկապես ուժեղ թթուներ օգտագործելու դեպքում (օրինակ՝ HF կամ HCl), դրանց կոռոզիոն դիմադրությունը զգալիորեն գերազանցում է սովորական մետաղական նյութերին:
SiC ծածկույթները կարող են կիրառվել հետևյալ նյութերի վրա.
Բարձր մաքրության իզոստատիկ գրաֆիտ (ցածր CTE)
Վոլֆրամ
Մոլիբդեն
Սիլիցիումի կարբիդ
Սիլիցիումի նիտրիդ
Ածխածնային-ածխածնային կոմպոզիտներ (CFC)
SiC ծածկված արտադրանքները սովորաբար օգտագործվում են հետևյալ ոլորտներում.
LED չիպերի արտադրություն
Պոլիսիլիցիումի արտադրություն
Կիսահաղորդիչբյուրեղների աճ
Սիլիկոն ևSiC epitaxy
Վաֆլի ջերմային բուժում և փորագրում
Ինչու՞ ընտրել ՄԿՈՒ էներգիան:
VET Energy-ն Չինաստանում SiC ծածկույթի արտադրանքի առաջատար արտադրողն է, նորարարը և առաջատարը, հիմնական SiC ծածկույթի արտադրանքը ներառում է.վաֆլի կրիչ SiC ծածկույթով, SiC պատվածepitaxial susceptor, SiC ծածկված գրաֆիտի օղակ, Կիսալուսնի մասեր SiC ծածկույթով, SiC ծածկված ածխածնային-ածխածնային կոմպոզիտ, SiC ծածկույթով վաֆլի նավակ, SiC ծածկով ջեռուցիչև այլն: VET Energy-ը պարտավորվում է կիսահաղորդչային արդյունաբերությանը տրամադրել տեխնոլոգիական և արտադրանքի վերջնական լուծումներ և աջակցում է հարմարեցման ծառայություններին: Մենք անկեղծորեն ակնկալում ենք լինել ձեր երկարաժամկետ գործընկերը Չինաստանում:
Եթե ունեք որևէ հարցում կամ լրացուցիչ մանրամասների կարիք ունեք, խնդրում ենք մի հապաղեք կապ հաստատել մեզ հետ:
Whatsapp&Wechat՝ +86-18069021720
Email: steven@china-vet.com
Հրապարակման ժամանակը՝ հոկտեմբերի 18-2024