SiC kouvwi Graphite baz transpòtè

Deskripsyon kout:

VET Enèji SiC kouvwi grafit konpayi asirans se yon pwodwi pèfòmans segondè ki fèt pou bay pèfòmans konsistan ak serye sou yon peryòd pwolonje. Li gen super bon rezistans chalè ak inifòmite tèmik, pite segondè, rezistans ewozyon, fè li solisyon an pafè pou aplikasyon pou pwosesis wafer.

Kote orijin:Lachin

Estrikti kristal:FCCβ faz

Dansite:3.21 g / cm

Dite:2500 Vickers

Gwosè grenn:2 ~ 10μm

Pite chimik:99.99995%

Kapasite Chalè:640J·kg-1·K-1

Tanperati sublimasyon:2700℃

Fòs Flèksyèl:415 Mpa (RT 4-Pwen)

Modil Young la:430 Gpa (4pt koube, 1300℃)

Ekspansyon tèmik (CTE):4.5 10-6K-1

Kondiktivite tèmik:300（W/MK）

Voye imèl ba nou Telechaje kòm PDF

Pwodwi detay

Tags pwodwi

SiC kouvwi grafit konpayi asirans se yon eleman kle yo itilize nan divès pwosesis fabrikasyon semi-conducteurs. Nou itilize teknoloji patante nou an pou fè konpayi asirans lan carbure Silisyòm ak pite trè wo, bon inifòmite kouch ak yon lavi sèvis ekselan, osi byen ke segondè rezistans chimik ak pwopriyete estabilite tèmik.

Karakteristik pwodwi nou yo:

1. Rezistans oksidasyon tanperati ki wo jiska 1700 ℃.
2. Segondè pite ak inifòmite tèmik
3. Ekselan rezistans korozyon: asid, alkali, sèl ak reyaktif òganik.
4. Segondè dite, sifas kontra enfòmèl ant, patikil amann.
5. Pi long lavi sèvis ak plis dirab

CVD SiC薄膜基本物理性能 Pwopriyete fizik debaz CVD SiCkouch
性质 / Pwopriyete	典型数值 / Valè tipik
晶体结构 / Crystal Estrikti	FCC β faz多晶，主要为（111）取向
密度 / Dansite	3.21 g / cm³
硬度 / Dite	2500 维氏硬度（500g chaj）
晶粒大小 / Gwosè Grenn	2 ~ 10μm
纯度 / Pite chimik	99.99995%
热容 / Kapasite Chalè	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Tanperati sublimasyon	2700℃
抗弯强度 / Fòs Flexural	415 MPa RT 4-pwen
杨氏模量 / Modil Young	430 Gpa 4pt pliye, 1300 ℃
导热系数 / ThermalKonduktivite	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Ekspansyon tèmik (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1

VET Enèji se manifakti reyèl nan grafit Customized ak pwodwi carbure Silisyòm ak kouch diferan tankou kouch SiC, kouch TaC, kouch kabòn glase, kouch kabòn pirolitik, elatriye, ka bay divès pati Customized pou endistri semi-conducteurs ak fotovoltaik.

Ekip teknik nou an soti nan tèt enstitisyon rechèch domestik, ka bay plis solisyon materyèl pwofesyonèl pou ou.

Nou kontinyèlman devlope pwosesis avanse pou bay materyèl ki pi avanse, epi nou te travay soti yon teknoloji eksklizif patante, ki ka fè lyezon ki genyen ant kouch la ak substra a pi sere ak mwens tandans fè detachman.

Byenveni ou vizite faktori nou an, se pou nou gen plis diskisyon!