Premyerman, nou bezwen konnenPECVD(Plasma Enhanced Chimik Vapè Depozisyon). Plasma se entansifikasyon mouvman tèmik molekil materyèl yo. Kolizyon ki genyen ant yo pral lakòz molekil gaz yo dwe ionize, ak materyèl la pral vin yon melanj de iyon pozitif k ap deplase lib, elektwon ak patikil net ki kominike youn ak lòt.
Li estime ke to a pèt refleksyon nan limyè sou sifas la Silisyòm se kòm yon wo apeprè 35%. Fim nan anti-refleksyon ka anpil amelyore pousantaj itilizasyon limyè solè pa selil batri a, ki ede ogmante dansite aktyèl la photogenerated e konsa amelyore efikasite konvèsyon an. An menm tan an, idwojèn nan fim nan pasiv sifas selil batri a, diminye pousantaj rekonbinasyon sifas nan junction emetè a, diminye aktyèl nwa a, ogmante vòltaj sikwi louvri, ak amelyore efikasite konvèsyon foto-elektrik la. Recuit enstantane wo-tanperati a nan pwosesis boule-a kraze kèk lyezon Si-H ak NH, ak H ki libere plis ranfòse pasivasyon batri a.
Depi materyèl Silisyòm fotovoltaik-klas inevitableman gen yon gwo kantite enpurte ak domaj, tout lavi konpayi asirans minorite a ak longè difizyon nan Silisyòm yo redwi, sa ki lakòz yon diminisyon nan efikasite konvèsyon nan batri a. H ka reyaji ak defo oswa enpurte nan Silisyòm, kidonk transfere bann enèji nan bandgap nan gwoup valens oswa kondiksyon.
1. Prensip PECVD
Sistèm PECVD a se yon seri dèlko itilizePECVD bato grafit ak eksitasyon plasma segondè-frekans. Se dèlko plasma a dirèkteman enstale nan mitan plak la kouch reyaji anba presyon ki ba ak tanperati ki wo. Gaz aktif yo itilize yo se silan SiH4 ak amonyak NH3. Gaz sa yo aji sou nitrure Silisyòm ki estoke sou wafer Silisyòm lan. Diferan endis refraktif yo ka jwenn lè w chanje rapò silan ak amonyak. Pandan pwosesis depozisyon an, yon gwo kantite atòm idwojèn ak iyon idwojèn yo pwodwi, ki fè pasivasyon idwojèn wafer la trè bon. Nan yon vakyòm ak yon tanperati anbyen nan 480 degre Sèlsiyis, yon kouch SixNy kouvwi sou sifas la nan wafer Silisyòm nanPECVD bato grafit.
3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2
2. Si3N4
Koulè fim Si3N4 chanje ak epesè li. Anjeneral, epesè ideyal la se ant 75 ak 80 nm, ki parèt ble fonse. Endèks refraktif fim Si3N4 se pi bon ant 2.0 ak 2.5. Anjeneral yo itilize alkòl pou mezire endèks refraktif li yo.
Ekselan efè pasivasyon sifas, efikas optik pèfòmans anti-refleksyon (epesè endèks refraktif matche), pwosesis tanperati ki ba (efektivman diminye depans), ak iyon yo pwodwi H yo pasiv sifas wafer Silisyòm.
3. zafè komen nan atelye plak blanch
Epesè fim:
Tan depo a diferan pou diferan epesè fim. Tan depozisyon an ta dwe ogmante oswa diminye kòmsadwa dapre koulè kouch la. Si fim nan blan, tan depozisyon an ta dwe redwi. Si li wouj, li ta dwe ogmante kòmsadwa. Chak bato nan fim yo ta dwe konplètman konfime, ak pwodwi ki defektye yo pa gen dwa koule nan pwochen pwosesis la. Pou egzanp, si kouch la pòv, tankou tach koulè ak filigrane, yo ta dwe chwazi sifas ki pi komen blanchiman, diferans koulè, ak tach blan sou liy pwodiksyon an. Se blanchi sifas la sitou ki te koze pa fim nan nitrure Silisyòm epè, ki ka ajiste pa ajiste tan an depo fim; se fim nan diferans koulè sitou ki te koze pa blokaj chemen gaz, flit tib kwatz, echèk mikwo ond, elatriye; tach blan yo sitou ki te koze pa ti tach nwa nan pwosesis anvan an. Siveyans nan reflektivite, endèks refraktif, elatriye, sekirite nan gaz espesyal, elatriye.
Tach blan sou sifas la:
PECVD se yon pwosesis relativman enpòtan nan selil solè ak yon endikatè enpòtan nan efikasite nan selil solè yon konpayi. Pwosesis PECVD a jeneralman okipe, epi chak pakèt selil bezwen kontwole. Gen anpil tib founo kouch, ak chak tib jeneralman gen dè santèn de selil (ki depann sou ekipman an). Apre chanje paramèt pwosesis yo, sik verifikasyon an long. Teknoloji kouch se yon teknoloji ke tout endistri fotovoltaik bay anpil enpòtans. Efikasite selil solè yo ka amelyore lè yo amelyore teknoloji kouch. Nan tan kap vini an, teknoloji sifas selil solè ka vin yon zouti nan efikasite teyorik selil solè yo.
Tan pòs: 23-desanm 2024