Customized Graphite Chofaj pou Semiconductor Silisyòm Wafer, SiC kouch

Deskripsyon kout:

Espesifikasyon teknik

VET-M3

Dansite esansyèl (g/cm3)

≥1.85

Sann kontni (PPM)

≤500

Shore dite

≥45

Rezistans espesifik (μ.Ω.m)

≤12

Fòs flexural (Mpa)

≥40

Fòs konpresyon (Mpa)

≥70

Max. Gwosè grenn (μm)

≤43

Koefisyan ekspansyon tèmik Mm/°C

≤4.4 * 10-6


Pwodwi detay

Tags pwodwi

Espesifikasyon teknik

VET-M3

Dansite esansyèl (g/cm3)

≥1.85

Sann kontni (PPM)

≤500

Shore dite

≥45

Rezistans espesifik (μ.Ω.m)

≤12

Fòs flexural (Mpa)

≥40

Fòs konpresyon (Mpa)

≥70

Max. Gwosè grenn (μm)

≤43

Koefisyan ekspansyon tèmik Mm/°C

≤4.4 * 10-6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Customized Graphite Chofaj pou Semiconductor Silisyòm Wafer

Customized Graphite Chofaj pou Semiconductor Silisyòm Wafer

Customized Graphite Chofaj pou Semiconductor Silisyòm Wafer

Customized Graphite Chofaj pou Semiconductor Silisyòm Wafer

 

 

 

 

Customized Graphite Chofaj pou Semiconductor Silisyòm Wafer


  • Previous:
  • Pwochen:

  • Chat sou entènèt WhatsApp!