8 Pous P Kalite Silisyòm Wafer

Deskripsyon kout:

Entwodwi wafer Silisyòm 8 Pous P Kalite prim klas la, yon mak ekselan nan VET Energy. Wafer eksepsyonèl sa a, ki gen yon pwofil dopaj P-tip, se minutizman enjenyè pou satisfè pi wo estanda kalite ak pèfòmans.

Voye imèl ba nou Telechaje kòm PDF

Pwodwi detay

Tags pwodwi

8 Pous P Kalite Silisyòm Wafer ki soti nan VET Energy se yon wafer Silisyòm wo-pèfòmans ki fèt pou yon pakèt aplikasyon semi-conducteurs, ki gen ladan selil solè, aparèy MEMS, ak sikwi entegre. Li te ye pou ekselan konduktiviti elektrik li yo ak pèfòmans ki konsistan, wafer sa a se chwa ki pi pito pou manifaktirè kap pwodwi konpozan elektwonik serye ak efikas. Enèji VET asire nivo dopan egzak ak yon fini sifas kalite siperyè pou fabwikasyon aparèy optimal.

Sa yo 8 Pous P Kalite Silisyòm Wafers yo konplètman konpatib ak divès kalite materyèl tankou SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, epi yo apwopriye pou kwasans Epi Wafer, asire adaptabilite pou pwosesis manifakti semi-conducteurs avanse. Wafers yo ka itilize tou ansanm ak lòt materyèl gwo teknoloji tankou Gallium Oxide Ga2O3 ak AlN Wafer, ki fè yo ideyal pou aplikasyon elektwonik pwochen jenerasyon. Konsepsyon gaya yo adapte tou san pwoblèm nan sistèm ki baze sou kasèt, pou asire ke pwodiksyon efikas ak gwo volim.

VET Enèji bay kliyan solisyon wafer Customized. Nou ka Customize wafers ak diferan rezistivite, kontni oksijèn, epesè, elatriye selon bezwen espesifik kliyan yo. Anplis de sa, nou menm tou nou bay sipò teknik pwofesyonèl ak sèvis apre-lavant pou ede kliyan rezoud pwoblèm divès kalite rankontre pandan pwosesis pwodiksyon an.

ESPESIFIKASYON WAFERING

*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan

Atik	8-pous	6-pous			4-pous
Atik	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-Valè absoli	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Chaîne (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV (SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Wafer Edge	Bizote

Sifas fini

*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan

Atik	8-pous	6-pous			4-pous
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Sifas fini	Double bò Optical Polonè, Si- Face CMP
SurfaceRoughness	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Chips Edge	Okenn pèmisyon (longè ak lajè ≥0.5mm)
Tire	Okenn Pèmèt
Rayures (Si-Face)	Qty.≤5, Kimilatif Length≤0.5 × wafer dyamèt	Qty.≤5, Kimilatif Length≤0.5 × wafer dyamèt			Qty.≤5, Kimilatif Length≤0.5 × wafer dyamèt
Fant	Okenn Pèmèt
Eksklizyon Edge	3mm