12 pous SOI wafer

Deskripsyon kout:

Eksperyans inovasyon tankou pa janm anvan ak eta-of-atizay 12 Pous SOI Wafer la, yon mèvèy teknolojik ak fyète ke VET Energy pote ba ou. Fèt ak presizyon ak ekspètiz, wafer Silisyòm-On-Izolan sa a redefini estanda endistri yo, ofri bon jan kalite ak pèfòmans san parèy.


Pwodwi detay

Tags pwodwi

VET Enèji 12-pous SOI wafer se yon materyèl segondè-pèfòmans substra semi-conducteurs, ki trè favorize pou ekselan pwopriyete elektrik li yo ak estrikti inik. VET Enèji sèvi ak pwosesis avanse SOI fabrikasyon wafer pou asire ke wafer la gen kouran flit ki ba anpil, gwo vitès ak rezistans radyasyon, bay yon fondasyon solid pou sikui entegre wo-pèfòmans ou yo.

Liy pwodwi VET Enèji a pa limite a wafers SOI. Nou menm tou nou bay yon pakèt materyèl substrate semiconductor, ki gen ladan Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, elatriye, osi byen ke nouvo materyèl semiconductor bandgap lajè tankou Gallium Oxide Ga2O3 ak AlN Wafer. Pwodwi sa yo ka satisfè bezwen aplikasyon diferan kliyan nan pouvwa elektwonik, RF, detèktè ak lòt jaden.

Konsantre sou ekselans, wafers SOI nou yo itilize tou materyèl avanse tankou oksid Galyòm Ga2O3, kasèt ak wafers AlN pou asire fyab ak efikasite nan chak nivo operasyonèl. Mete konfyans VET Energy pou bay solisyon dènye kri ki pave wout la pou avansman teknolojik.

Debouche potansyèl pwojè ou a ak pèfòmans siperyè VET Energy 12-pous SOI wafers. Ranfòse kapasite inovasyon ou yo ak wafers ki enkòpore bon jan kalite, presizyon ak inovasyon, mete fondasyon an pou siksè nan domèn dinamik teknoloji semi-conducteurs. Chwazi VET Energy pou solisyon prim SOI wafer ki depase atant yo.

第6页-36
第6页-35

ESPESIFIKASYON WAFERING

*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan

Atik

8-pous

6-pous

4-pous

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD)-Valè absoli

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Chaîne (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer Edge

Bizote

Sifas fini

*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan

Atik

8-pous

6-pous

4-pous

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Sifas fini

Double bò Optical Polonè, Si- Face CMP

SurfaceRoughness

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Chips Edge

Okenn pèmisyon (longè ak lajè ≥0.5mm)

Tire

Okenn Pèmèt

Rayures (Si-Face)

Qty.≤5, Kimilatif
Length≤0.5 × wafer dyamèt

Qty.≤5, Kimilatif
Length≤0.5 × wafer dyamèt

Qty.≤5, Kimilatif
Length≤0.5 × wafer dyamèt

Fant

Okenn Pèmèt

Eksklizyon Edge

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Previous:
  • Pwochen:

  • Chat sou entènèt WhatsApp!