4 Pous GaAs Wafer

Deskripsyon kout:

VET Enèji 4 pous GaAs wafer se yon substrate semiconductor wo-pite ki renome pou ekselan pwopriyete elektwonik li yo, ki fè li yon chwa ideyal pou yon pakèt aplikasyon. VET Enèji anplwaye teknik avanse kristal kwasans pou pwodui gauf GaAs ak inifòmite eksepsyonèl, dansite defo ki ba, ak nivo dopan egzak.


Pwodwi detay

Tags pwodwi

Wafer GaAs 4 pous ki soti nan VET Energy se yon materyèl esansyèl pou gwo vitès ak aparèy optoelektwonik, ki gen ladan anplifikatè RF, LED, ak selil solè. Wafers sa yo li te ye pou mobilite elèktron segondè yo ak kapasite yo opere nan pi wo frekans, fè yo yon eleman kle nan aplikasyon semi-conducteurs avanse. Enèji VET asire pi bon kalite GaAs gaufrèt ak epesè inifòm ak defo minim, apwopriye pou yon seri de pwosesis fabrikasyon mande.

GaAs Wafers 4 Pous sa yo konpatib ak divès kalite materyèl semi-conducteurs tankou Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, ak SiN Substrate, fè yo versatile pou entegrasyon nan diferan achitekti aparèy. Kit yo itilize pou pwodiksyon Epi Wafer oswa ansanm ak materyèl dènye kri tankou Gallium Oxide Ga2O3 ak AlN Wafer, yo ofri yon fondasyon serye pou pwochen jenerasyon elektwonik. Anplis de sa, wafers yo konplètman konpatib ak sistèm manyen kasèt ki baze sou, asire operasyon lis nan tou de rechèch ak gwo volim anviwònman fabrikasyon.

Enèji VET ofri yon dosye konplè sou substrat semi-conducteurs, ki gen ladan Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, ak AlN Wafer. Liy divès pwodwi nou an satisfè bezwen divès kalite aplikasyon elektwonik, soti nan elektwonik pouvwa a RF ak optoelectronics.

VET Energy ofri wafers GaAs personnalisables pou satisfè kondisyon espesifik ou yo, ki gen ladan diferan nivo dopaj, oryantasyon, ak fini sifas yo. Ekip ekspè nou an bay sipò teknik ak sèvis apre-lavant pou asire siksè ou.

第6页-36
第6页-35

ESPESIFIKASYON WAFERING

*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan

Atik

8-pous

6-pous

4-pous

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD)-Valè absoli

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Chaîne (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer Edge

Bizote

Sifas fini

*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan

Atik

8-pous

6-pous

4-pous

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Sifas fini

Double bò Optical Polonè, Si- Face CMP

SurfaceRoughness

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Chips Edge

Okenn pèmisyon (longè ak lajè ≥0.5mm)

Tire

Okenn Pèmèt

Rayures (Si-Face)

Qty.≤5, Kimilatif
Length≤0.5 × wafer dyamèt

Qty.≤5, Kimilatif
Length≤0.5 × wafer dyamèt

Qty.≤5, Kimilatif
Length≤0.5 × wafer dyamèt

Fant

Okenn Pèmèt

Eksklizyon Edge

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Previous:
  • Pwochen:

  • Chat sou entènèt WhatsApp!