6 Pous N Kalite SiC Wafer

Deskripsyon kout:

6 Pous N Kalite SiC Wafer soti nan VET Enèji se yon substra pèfòmans segondè ki fèt pou aplikasyon avanse semi-conducteurs, ki ofri siperyè konduktiviti tèmik ak efikasite pouvwa. Enèji VET itilize teknoloji dènye kri pou pwodwi wafers bon jan kalite ki satisfè egzijans solid elektwonik modèn yo, asire fyab ak rezistans nan aparèy pouvwa.

Voye imèl ba nou Telechaje kòm PDF

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Sa a 6 Pous N Kalite SiC Wafer se Enjenieri pou pèfòmans amelyore nan kondisyon ekstrèm, fè li yon chwa ideyal pou aplikasyon ki mande gwo pouvwa ak rezistans tanperati. Pwodwi kle ki asosye ak wafer sa a gen ladan Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, ak SiN Substrate. Materyèl sa yo asire pèfòmans optimal nan yon varyete de pwosesis fabrikasyon semi-conducteurs, sa ki pèmèt aparèy ki tou de enèji-efikas ak dirab.

Pou konpayi k ap travay ak Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette, oswa AlN Wafer, 6 Pous N Kalite SiC Wafer VET Energy bay fondasyon ki nesesè pou devlopman pwodwi inovatè. Kit se nan elektwonik gwo pouvwa oswa dènye nan teknoloji RF, wafers sa yo asire konduktiviti ekselan ak rezistans tèmik minimòm, pouse limit yo nan efikasite ak pèfòmans.

SPECIFIKASYON WAFERING

*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan

Atik	8-pous	6-pous			4-pous
Atik	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-Valè absoli	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Chaîne (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV (SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Wafer Edge	Bizote

FINI SIfas

*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan

Atik	8-pous	6-pous			4-pous
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Sifas fini	Double bò Optical Polonè, Si- Face CMP
SurfaceRoughness	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Chips Edge	Okenn pèmisyon (longè ak lajè ≥0.5mm)
Tire	Okenn Pèmèt
Rayures (Si-Face)	Qty.≤5, Kimilatif Length≤0.5 × wafer dyamèt	Qty.≤5, Kimilatif Length≤0.5 × wafer dyamèt			Qty.≤5, Kimilatif Length≤0.5 × wafer dyamèt
Fant	Okenn Pèmèt
Eksklizyon Edge	3mm