Wafers Silisyòm 8-pous VET Energy yo lajman ki itilize nan elektwonik pouvwa, detèktè, sikwi entegre ak lòt jaden. Kòm yon lidè nan endistri semi-conducteurs, nou pran angajman pou bay bon jan kalite pwodwi Si Wafer pou satisfè bezwen k ap grandi kliyan nou yo.
Anplis de sa nan Si Wafer, VET Enèji tou bay yon pakèt materyèl substra semi-conducteurs, ki gen ladan SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, elatriye Liy pwodwi nou an kouvri tou nouvo materyèl semiconductor bandgap lajè tankou Gallium Oxide Ga2O3 ak AlN. Wafer, bay sipò solid pou devlopman pwochen jenerasyon aparèy elektwonik pouvwa.
Enèji VET gen ekipman pwodiksyon avanse ak yon sistèm jesyon kalite konplè pou asire ke chak wafer satisfè estanda endistri strik. Pwodwi nou yo pa sèlman gen ekselan pwopriyete elektrik, men tou, gen bon fòs mekanik ak estabilite tèmik.
VET Enèji bay kliyan solisyon wafer Customized, ki gen ladan wafer ki gen diferan gwosè, kalite ak konsantrasyon dopan. Anplis de sa, nou menm tou nou bay sipò teknik pwofesyonèl ak sèvis apre-lavant pou ede kliyan rezoud pwoblèm divès kalite rankontre pandan pwosesis pwodiksyon an.
ESPESIFIKASYON WAFERING
*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan
| Atik | 8-pous | 6-pous | 4-pous | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Bow(GF3YFCD)-Valè absoli | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Chaîne (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV (SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Wafer Edge | Bizote | ||||
Sifas fini
*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan
| Atik | 8-pous | 6-pous | 4-pous | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Sifas fini | Double bò Optical Polonè, Si- Face CMP | ||||
| SurfaceRoughness | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| Chips Edge | Okenn pèmisyon (longè ak lajè ≥0.5mm) | ||||
| Tire | Okenn Pèmèt | ||||
| Rayures (Si-Face) | Qty.≤5, Kimilatif | Qty.≤5, Kimilatif | Qty.≤5, Kimilatif | ||
| Fant | Okenn Pèmèt | ||||
| Eksklizyon Edge | 3mm | ||||
