12 pous Silisyòm Wafer pou Semiconductor Fabrication

Deskripsyon kout:

VET Enèji 12-pous Silisyòm wafers yo se materyèl debaz debaz yo nan endistri a manifakti semi-conducteurs. Enèji VET itilize teknoloji avanse CZ kwasans pou asire ke wafers yo gen bon jan kalite kristal ekselan, dansite defo ki ba ak inifòmite segondè, bay yon substra solid ak serye pou aparèy semi-conducteurs ou yo.


Pwodwi detay

Tags pwodwi

Wafer Silisyòm 12 pous pou Fabrikasyon Semiconductor ofri VET Enèji yo enjenyè pou satisfè nòm egzak ki nesesè nan endistri semi-conducteurs. Kòm youn nan pwodwi dirijan yo nan pwogramasyon nou an, VET Enèji asire ke wafers sa yo pwodui ak platite egzak, pite, ak bon jan kalite sifas, ki fè yo ideyal pou aplikasyon pou semi-conducteurs dènye kri, ki gen ladan mikrochip, detèktè, ak aparèy elektwonik avanse.

Wafer sa a konpatib ak yon pakèt materyèl tankou Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, ak Epi Wafer, bay adaptabilite ekselan pou pwosesis fabrikasyon divès kalite. Anplis de sa, li pè byen ak teknoloji avanse tankou Gallium Oxide Ga2O3 ak AlN Wafer, asire ke li ka entegre nan aplikasyon trè espesyalize. Pou operasyon lis, wafer la optimize pou itilize ak sistèm kasèt estanda endistri yo, asire manyen efikas nan fabrikasyon semi-conducteurs.

Liy pwodwi VET Energy a pa limite a silisyòm wafers. Nou menm tou nou bay yon pakèt materyèl substrate semiconductor, ki gen ladan SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, elatriye, osi byen ke nouvo materyèl semiconductor bandgap lajè tankou Gallium Oxide Ga2O3 ak AlN Wafer. Pwodwi sa yo ka satisfè bezwen aplikasyon diferan kliyan nan elektwonik pouvwa, frekans radyo, detèktè ak lòt jaden.

Zòn aplikasyon:
Chips lojik:Faktori chips lojik segondè-pèfòmans tankou CPU ak GPU.
Chips memwa:Faktori chips memwa tankou DRAM ak NAND Flash.
Chips analòg:Faktori chips analòg tankou ADC ak DAC.
Detèktè:Detèktè MEMS, detèktè imaj, elatriye.

VET Enèji bay kliyan solisyon wafer Customized, epi li ka Customize wafers ak diferan rezistans, diferan kontni oksijèn, epesè diferan ak lòt espesifikasyon selon bezwen espesifik kliyan yo. Anplis de sa, nou menm tou nou bay sipò teknik pwofesyonèl ak sèvis apre-lavant pou ede kliyan optimize pwosesis pwodiksyon ak amelyore sede pwodwi.

第6页-36
第6页-35

ESPESIFIKASYON WAFERING

*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan

Atik

8-pous

6-pous

4-pous

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD)-Valè absoli

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Chaîne (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer Edge

Bizote

Sifas fini

*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan

Atik

8-pous

6-pous

4-pous

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Sifas fini

Double bò Optical Polonè, Si- Face CMP

SurfaceRoughness

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Chips Edge

Okenn pèmisyon (longè ak lajè ≥0.5mm)

Tire

Okenn Pèmèt

Rayures (Si-Face)

Qty.≤5, Kimilatif
Length≤0.5 × wafer dyamèt

Qty.≤5, Kimilatif
Length≤0.5 × wafer dyamèt

Qty.≤5, Kimilatif
Length≤0.5 × wafer dyamèt

Fant

Okenn Pèmèt

Eksklizyon Edge

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Previous:
  • Pwochen:

  • Chat sou entènèt WhatsApp!