Wafer Silisyòm 12 pous pou Fabrikasyon Semiconductor ofri VET Enèji yo enjenyè pou satisfè nòm egzak ki nesesè nan endistri semi-conducteurs. Kòm youn nan pwodwi dirijan yo nan pwogramasyon nou an, VET Enèji asire ke wafers sa yo pwodui ak platite egzak, pite, ak bon jan kalite sifas, ki fè yo ideyal pou aplikasyon pou semi-conducteurs dènye kri, ki gen ladan mikrochip, detèktè, ak aparèy elektwonik avanse.
Wafer sa a konpatib ak yon pakèt materyèl tankou Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, ak Epi Wafer, bay adaptabilite ekselan pou pwosesis fabrikasyon divès kalite. Anplis de sa, li pè byen ak teknoloji avanse tankou Gallium Oxide Ga2O3 ak AlN Wafer, asire ke li ka entegre nan aplikasyon trè espesyalize. Pou operasyon lis, wafer la optimize pou itilize ak sistèm kasèt estanda endistri yo, asire manyen efikas nan fabrikasyon semi-conducteurs.
Liy pwodwi VET Energy a pa limite a silisyòm wafers. Nou menm tou nou bay yon pakèt materyèl substrate semiconductor, ki gen ladan SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, elatriye, osi byen ke nouvo materyèl semiconductor bandgap lajè tankou Gallium Oxide Ga2O3 ak AlN Wafer. Pwodwi sa yo ka satisfè bezwen aplikasyon diferan kliyan nan elektwonik pouvwa, frekans radyo, detèktè ak lòt jaden.
Zòn aplikasyon:
•Chips lojik:Faktori chips lojik segondè-pèfòmans tankou CPU ak GPU.
•Chips memwa:Faktori chips memwa tankou DRAM ak NAND Flash.
•Chips analòg:Faktori chips analòg tankou ADC ak DAC.
•Detèktè:Detèktè MEMS, detèktè imaj, elatriye.
VET Enèji bay kliyan solisyon wafer Customized, epi li ka Customize wafers ak diferan rezistans, diferan kontni oksijèn, epesè diferan ak lòt espesifikasyon selon bezwen espesifik kliyan yo. Anplis de sa, nou menm tou nou bay sipò teknik pwofesyonèl ak sèvis apre-lavant pou ede kliyan optimize pwosesis pwodiksyon ak amelyore sede pwodwi.
ESPESIFIKASYON WAFERING
*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan
Atik | 8-pous | 6-pous | 4-pous | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Valè absoli | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Chaîne (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Bizote |
Sifas fini
*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan
Atik | 8-pous | 6-pous | 4-pous | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Sifas fini | Double bò Optical Polonè, Si- Face CMP | ||||
SurfaceRoughness | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Chips Edge | Okenn pèmisyon (longè ak lajè ≥0.5mm) | ||||
Tire | Okenn Pèmèt | ||||
Rayures (Si-Face) | Qty.≤5, Kimilatif | Qty.≤5, Kimilatif | Qty.≤5, Kimilatif | ||
Fant | Okenn Pèmèt | ||||
Eksklizyon Edge | 3mm |