Liy pwodwi VET Enèji a pa limite a GaN sou wafers SiC. Nou menm tou nou bay yon pakèt materyèl substrate semi-conducteurs, ki gen ladan Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, elatriye Anplis de sa, nou ap aktivman devlope nouvo materyèl semi-conducteurs bandgap lajè, tankou Gallium Oxide Ga2O3 ak AlN. Wafer, pou satisfè demann endistri elektwonik pouvwa nan lavni pou pi wo aparèy pèfòmans.
VET Enèji bay sèvis personnalisation fleksib, epi li ka Customize kouch epitaksi GaN nan diferan epesè, diferan kalite dopaj, ak diferan gwosè wafer selon bezwen espesifik kliyan yo. Anplis de sa, nou menm tou nou bay sipò teknik pwofesyonèl ak sèvis apre-lavant pou ede kliyan yo byen vit devlope aparèy elektwonik pouvwa segondè-pèfòmans.
ESPESIFIKASYON WAFERING
*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan
Atik | 8-pous | 6-pous | 4-pous | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Valè absoli | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Chaîne (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Bizote |
Sifas fini
*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan
Atik | 8-pous | 6-pous | 4-pous | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Sifas fini | Double bò Optical Polonè, Si- Face CMP | ||||
SurfaceRoughness | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Chips Edge | Okenn pèmisyon (longè ak lajè ≥0.5mm) | ||||
Tire | Okenn Pèmèt | ||||
Rayures (Si-Face) | Qty.≤5, Kimilatif | Qty.≤5, Kimilatif | Qty.≤5, Kimilatif | ||
Fant | Okenn Pèmèt | ||||
Eksklizyon Edge | 3mm |