6 Pous P Kalite Silisyòm Wafer

Deskripsyon kout:

VET Enèji 6-pous P-type Silisyòm wafer se yon bon jan kalite materyèl debaz semi-conducteurs, lajman ki itilize nan envantè de divès aparèy elektwonik. Enèji VET itilize pwosesis kwasans CZ avanse pou asire ke wafer la gen bon jan kalite kristal ekselan, dansite defo ki ba ak inifòmite segondè.


Pwodwi detay

Tags pwodwi

Liy pwodwi VET Energy a pa limite a silisyòm wafers. Nou menm tou nou bay yon pakèt materyèl substrate semiconductor, ki gen ladan SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, elatriye, osi byen ke nouvo materyèl semiconductor bandgap lajè tankou Gallium Oxide Ga2O3 ak AlN Wafer. Pwodwi sa yo ka satisfè bezwen aplikasyon diferan kliyan nan elektwonik pouvwa, frekans radyo, detèktè ak lòt jaden.

Jaden aplikasyon:
Sikui entegre:Kòm materyèl debaz pou fabrikasyon sikwi entegre, P-tip Silisyòm wafers yo lajman ki itilize nan divès sikwi lojik, memwa, elatriye.
Aparèy pouvwa:P-tip Silisyòm wafers ka itilize pou fè aparèy pouvwa tankou tranzistò pouvwa ak dyod.
Detèktè:P-tip Silisyòm wafers ka itilize pou fè divès kalite detèktè, tankou detèktè presyon, detèktè tanperati, elatriye.
Selil solè:P-tip Silisyòm wafers yo se yon eleman enpòtan nan selil solè yo.

VET Enèji bay kliyan solisyon wafer Customized, epi li ka Customize wafers ak diferan rezistans, diferan kontni oksijèn, epesè diferan ak lòt espesifikasyon selon bezwen espesifik kliyan yo. Anplis de sa, nou menm tou nou bay sipò teknik pwofesyonèl ak sèvis apre-lavant pou ede kliyan rezoud pwoblèm divès kalite rankontre nan pwosesis pwodiksyon an.

第6页-36
第6页-35

ESPESIFIKASYON WAFERING

*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan

Atik

8-pous

6-pous

4-pous

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD)-Valè absoli

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Chaîne (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer Edge

Bizote

FINI SIfas

*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan

Atik

8-pous

6-pous

4-pous

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Sifas fini

Double bò Optical Polonè, Si- Face CMP

SurfaceRoughness

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Chips Edge

Okenn pèmisyon (longè ak lajè ≥0.5mm)

Tire

Okenn Pèmèt

Rayures (Si-Face)

Qty.≤5, Kimilatif
Length≤0.5 × wafer dyamèt

Qty.≤5, Kimilatif
Length≤0.5 × wafer dyamèt

Qty.≤5, Kimilatif
Length≤0.5 × wafer dyamèt

Fant

Okenn Pèmèt

Eksklizyon Edge

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Previous:
  • Pwochen:

  • Chat sou entènèt WhatsApp!