Silisyòm Carbide (SiC) Epitaxial Wafer

VET Enèji Silisyòm Carbide (SiC) epitaxial wafer se yon wo-pèfòmans lajè bandgap semi-conducteurs materyèl ak ekselan rezistans tanperati ki wo, segondè frekans ak karakteristik pouvwa segondè. Li se yon substrate ideyal pou nouvo jenerasyon aparèy elektwonik pouvwa. Enèji VET itilize teknoloji epitaxial MOCVD avanse pou grandi kouch epitaksi SiC bon jan kalite sou substrat SiC, asire pèfòmans ekselan ak konsistans wafer la.

Silisyòm Carbide (SiC) Epitaxial Wafer nou an ofri ekselan konpatibilite ak yon varyete materyèl semi-conducteurs ki gen ladan Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, ak SiN Substrate. Avèk kouch epitaxial solid li yo, li sipòte pwosesis avanse tankou kwasans Epi Wafer ak entegrasyon ak materyèl tankou Gallium Oxide Ga2O3 ak AlN Wafer, asire itilizasyon versatile atravè diferan teknoloji. Fèt pou konpatib ak endistri-estanda sistèm Des kasèt, li asire ke operasyon efikas ak rasyonalize nan anviwònman fabwikasyon semi-conducteurs.

Liy pwodwi VET Enèji a pa limite a SiC epitaxial wafers. Nou menm tou nou bay yon pakèt materyèl substrate semi-conducteurs, ki gen ladan Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, elatriye Anplis de sa, nou ap aktivman devlope nouvo materyèl semi-conducteurs bandgap lajè, tankou Gallium Oxide Ga2O3 ak AlN. Wafer, pou satisfè demann endistri elektwonik pouvwa nan lavni pou pi wo aparèy pèfòmans.