Silisyòm Carbide (SiC) Epitaxial Wafer

Deskripsyon kout:

Silisyòm Carbide (SiC) Epitaxial Wafer ki soti nan VET Enèji se yon substra pèfòmans-wo ki fèt pou satisfè kondisyon ki egzijan nan pwochen jenerasyon pouvwa ak aparèy RF. Enèji VET asire ke chak wafer epitaxial yo fabrike metikulman pou bay konduktiviti tèmik siperyè, vòltaj pann, ak mobilite konpayi asirans, sa ki fè li ideyal pou aplikasyon pou tankou machin elektrik, kominikasyon 5G, ak elektwonik pouvwa segondè-efikasite.

Voye imèl ba nou Telechaje kòm PDF

Pwodwi detay

Tags pwodwi

VET Enèji Silisyòm Carbide (SiC) epitaxial wafer se yon wo-pèfòmans lajè bandgap semi-conducteurs materyèl ak ekselan rezistans tanperati ki wo, segondè frekans ak karakteristik pouvwa segondè. Li se yon substrate ideyal pou nouvo jenerasyon aparèy elektwonik pouvwa. Enèji VET itilize teknoloji epitaxial MOCVD avanse pou grandi kouch epitaksi SiC bon jan kalite sou substrat SiC, asire pèfòmans ekselan ak konsistans wafer la.

Silisyòm Carbide (SiC) Epitaxial Wafer nou an ofri ekselan konpatibilite ak yon varyete materyèl semi-conducteurs ki gen ladan Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, ak SiN Substrate. Avèk kouch epitaxial solid li yo, li sipòte pwosesis avanse tankou kwasans Epi Wafer ak entegrasyon ak materyèl tankou Gallium Oxide Ga2O3 ak AlN Wafer, asire itilizasyon versatile atravè diferan teknoloji. Fèt pou konpatib ak endistri-estanda sistèm Des kasèt, li asire ke operasyon efikas ak rasyonalize nan anviwònman fabwikasyon semi-conducteurs.

Liy pwodwi VET Enèji a pa limite a SiC epitaxial wafers. Nou menm tou nou bay yon pakèt materyèl substrate semi-conducteurs, ki gen ladan Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, elatriye Anplis de sa, nou ap aktivman devlope nouvo materyèl semi-conducteurs bandgap lajè, tankou Gallium Oxide Ga2O3 ak AlN. Wafer, pou satisfè demann endistri elektwonik pouvwa nan lavni pou pi wo aparèy pèfòmans.

ESPESIFIKASYON WAFERING

*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan

Atik	8-pous	6-pous			4-pous
Atik	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-Valè absoli	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Chaîne (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV (SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Wafer Edge	Bizote

FINI SIfas

*n-Pm=n-tip Pm-Klas, n-Ps=n-tip Ps-Klas, Sl=Semi-Izolan

Atik	8-pous	6-pous			4-pous
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Sifas fini	Double bò Optical Polonè, Si- Face CMP
SurfaceRoughness	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Chips Edge	Okenn pèmisyon (longè ak lajè ≥0.5mm)
Tire	Okenn Pèmèt
Rayures (Si-Face)	Qty.≤5, Kimilatif Length≤0.5 × wafer dyamèt	Qty.≤5, Kimilatif Length≤0.5 × wafer dyamèt			Qty.≤5, Kimilatif Length≤0.5 × wafer dyamèt
Fant	Okenn Pèmèt
Eksklizyon Edge	3mm