SiC obložen grafitnim polumjesečevim dijelomis a ključkomponenta koja se koristi u procesima proizvodnje poluvodiča, posebno za SiC epitaksijalnu opremu.Koristimo našu patentiranu tehnologiju za izradu polumjesecaizuzetno visoke čistoće,dobropremazivanjeujednačenosti izvrstan vijek trajanja, kao ivisoka svojstva kemijske otpornosti i toplinske stabilnosti.
VET Energy je thepravi proizvođač prilagođenih proizvoda od grafita i silicij karbida s CVD premazom,može opskrbitirazneprilagođeni dijelovi za poluvodičku i fotonaponsku industriju. Onaš tehnički tim dolazi iz vrhunskih domaćih istraživačkih institucija, može pružiti profesionalnija materijalna rješenjaza vas.
Kontinuirano razvijamo napredne procese kako bismo osigurali naprednije materijale,irazradili su ekskluzivnu patentiranu tehnologiju koja može učiniti spoj između premaza i podloge čvršćim i manje sklonim odvajanju.
Fkarakteristike naših proizvoda:
1. Otpornost na oksidaciju na visokim temperaturama do 1700℃.
2. Visoka čistoća itoplinska jednolikost
3. Izvrsna otpornost na koroziju: kiseline, lužine, soli i organski reagensi.
4. Visoka tvrdoća, kompaktna površina, fine čestice.
5. Duži vijek trajanja i izdržljiviji
| KVB SiC薄膜基本物理性能 Osnovna fizikalna svojstva CVD SiCpremazivanje | |
| 性质 / Vlasništvo | 典型数值 / Tipična vrijednost |
| 晶体结构 / Kristalna struktura | FCC β faza多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Gustoća | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Tvrdoća | 2500 维氏硬度（500g opterećenja） |
| 晶粒大小 / Veličina zrna | 2~10 μm |
| 纯度 / Kemijska čistoća | 99,99995% |
| 热容 / Kapacitet topline | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura sublimacije | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Čvrstoća na savijanje | 415 MPa RT 4 točke |
| 杨氏模量 / Youngov modul | 430 Gpa 4pt zavoj, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalProvodljivost | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Toplinska ekspanzija (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Srdačno vas pozdravljamo da posjetite našu tvornicu, idemo dalje razgovarati!
